실리콘 카바이드(SiC) 에피택셜 웨이퍼

VET Energy의 탄화규소(SiC) 에피택셜 웨이퍼는 우수한 고온 저항, 고주파수 및 고전력 특성을 갖춘 고성능 와이드 밴드갭 반도체 소재입니다. 차세대 전력 전자 장치에 이상적인 기판입니다. VET Energy는 고급 MOCVD 에피택셜 기술을 사용하여 SiC 기판에 고품질 SiC 에피택셜 층을 성장시켜 웨이퍼의 우수한 성능과 일관성을 보장합니다.

당사의 SiC(실리콘 카바이드) 에피택셜 웨이퍼는 Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼 및 SiN 기판을 포함한 다양한 반도체 재료와 탁월한 호환성을 제공합니다. 견고한 에피택셜 레이어를 통해 Epi 웨이퍼 성장 및 산화 갈륨 Ga2O3 및 AlN 웨이퍼와 같은 재료와의 통합과 같은 고급 프로세스를 지원하여 다양한 기술 전반에 걸쳐 다양한 용도로 사용할 수 있습니다. 업계 표준 카세트 처리 시스템과 호환되도록 설계되어 반도체 제조 환경에서 효율적이고 간소화된 작업을 보장합니다.

VET Energy의 제품 라인은 SiC 에피택셜 웨이퍼에만 국한되지 않습니다. 또한, Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer 등 다양한 반도체 기판 소재를 제공하고 있습니다. 또한, 산화갈륨 Ga2O3, AlN 등 새로운 와이드 밴드갭 반도체 소재 개발도 활발히 진행하고 있습니다. 고성능 장치에 대한 미래 전력 전자 산업의 요구를 충족시키는 웨이퍼.