vet-china garantisce che ogni bene durevolePaletta per la movimentazione dei wafer in carburo di silicioha prestazioni e durata eccellenti. Questa pala per la movimentazione dei wafer in carburo di silicio utilizza processi di produzione avanzati per garantire che la sua stabilità strutturale e funzionalità rimangano in ambienti ad alta temperatura e corrosione chimica. Questo design innovativo fornisce un eccellente supporto per la gestione dei wafer semiconduttori, in particolare per le operazioni automatizzate ad alta precisione.
Pagaia a sbalzo SiCè un componente specializzato utilizzato in apparecchiature per la produzione di semiconduttori come forni di ossidazione, forni di diffusione e forni di ricottura, l'uso principale è per il carico e lo scarico dei wafer, supporta e trasporta i wafer durante i processi ad alta temperatura.
Strutture comuniDiSiCcantilevapsbadiglio: una struttura a sbalzo, fissata a un'estremità e libera all'altra, ha tipicamente un design piatto e simile a una pagaia.
LavorandopprincipioDiSiCcantilevapsbadiglio:
La pala a sbalzo può muoversi su e giù o avanti e indietro all'interno della camera del forno e può essere utilizzata per spostare i wafer dalle aree di caricamento alle aree di lavorazione o fuori dalle aree di lavorazione, supportando e stabilizzando i wafer durante la lavorazione ad alta temperatura.
Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato | |
Proprietà | Valore tipico |
Temperatura di lavoro (°C) | 1600°C (con ossigeno), 1700°C (ambiente riducente) |
Contenuto di SiC | > 99,96% |
Contenuti Si gratuiti | <0,1% |
Densità apparente | 2,60-2,70 g/cm3 |
Porosità apparente | < 16% |
Resistenza alla compressione | > 600MPa |
Resistenza alla flessione a freddo | 80-90MPa (20°C) |
Resistenza alla flessione a caldo | 90-100MPa (1400°C) |
Dilatazione termica @1500°C | 4,7010-6/°C |
Conduttività termica @1200°C | 23 W/m·K |
Modulo elastico | 240 GPa |
Resistenza agli shock termici | Estremamente buono |