Paletta cantilever avanzata in SiC per la lavorazione dei wafer

Breve descrizione:

La pala cantilever avanzata SiC per la lavorazione dei wafer lanciata da vet-china utilizza materiali SiC ad alta tecnologia per migliorare l'efficienza e la precisione della lavorazione dei wafer. La pala a sbalzo di Vet-china presenta un'eccellente resistenza al calore e alla corrosione, garantendo prestazioni stabili nella gestione dei wafer in ambienti di produzione difficili, rendendola la scelta ideale per migliorare la resa produttiva.

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L'AvanzatoPagaia a sbalzo SiCper la lavorazione dei wafer creato da vet-china fornisce un'eccellente soluzione per la produzione di semiconduttori. Questa pala a sbalzo è realizzata in materiale SiC (carburo di silicio) e la sua elevata durezza e resistenza al calore le consentono di mantenere prestazioni eccellenti in ambienti ad alta temperatura e corrosivi. Il design della pala a sbalzo consente di supportare in modo affidabile il wafer durante la lavorazione, riducendo il rischio di frammentazione e danni.

Pagaia a sbalzo SiCè un componente specializzato utilizzato in apparecchiature per la produzione di semiconduttori come forni di ossidazione, forni di diffusione e forni di ricottura, l'uso principale è per il carico e lo scarico dei wafer, supporta e trasporta i wafer durante i processi ad alta temperatura.

Strutture comuniDiSiCcantilevapsbadiglio: una struttura a sbalzo, fissata a un'estremità e libera all'altra, ha tipicamente un design piatto e simile a una pagaia.

VET Energy utilizza materiali in carburo di silicio ricristallizzato ad alta purezza per garantire la qualità.

Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato
Proprietà	Valore tipico
Temperatura di lavoro (°C)	1600°C (con ossigeno), 1700°C (ambiente riducente)
Contenuto di SiC	> 99,96%
Contenuti Si gratuiti	<0,1%
Densità apparente	2,60-2,70 g/cm³
Porosità apparente	< 16%
Resistenza alla compressione	>600MPa
Resistenza alla flessione a freddo	80-90MPa (20°C)
Resistenza alla flessione a caldo	90-100MPa (1400°C)
Dilatazione termica @1500°C	4,7010^-6/°C
Conduttività termica @1200°C	23W/m•K
Modulo elastico	240 GPa
Resistenza agli shock termici	Estremamente buono