Wafer di silicio di tipo P da 8 pollici

Breve descrizione:

Presentazione del wafer di silicio di tipo P da 8 pollici di alta qualità, un segno distintivo di eccellenza di VET Energy. Questo wafer eccezionale, caratterizzato da un profilo di drogaggio di tipo P, è meticolosamente progettato per soddisfare i più elevati standard di qualità e prestazioni.


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Il wafer di silicio di tipo P da 8 pollici di VET Energy è un wafer di silicio ad alte prestazioni progettato per un'ampia gamma di applicazioni di semiconduttori, tra cui celle solari, dispositivi MEMS e circuiti integrati. Conosciuto per la sua eccellente conduttività elettrica e prestazioni costanti, questo wafer è la scelta preferita per i produttori che desiderano produrre componenti elettronici affidabili ed efficienti. VET Energy garantisce livelli di drogaggio precisi e una finitura superficiale di alta qualità per una fabbricazione ottimale del dispositivo.

Questi wafer di silicio di tipo P da 8 pollici sono completamente compatibili con vari materiali come il substrato SiC, il wafer SOI, il substrato SiN e sono adatti per la crescita del wafer Epi, garantendo versatilità per i processi di produzione avanzati di semiconduttori. I wafer possono essere utilizzati anche insieme ad altri materiali high-tech come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer AlN, rendendoli ideali per le applicazioni elettroniche di prossima generazione. Il loro design robusto si adatta perfettamente anche ai sistemi basati su cassette, garantendo una gestione efficiente e di volumi elevati della produzione.

VET Energy fornisce ai clienti soluzioni wafer personalizzate. Possiamo personalizzare wafer con diversa resistività, contenuto di ossigeno, spessore, ecc. in base alle esigenze specifiche dei clienti. Inoltre, forniamo anche supporto tecnico professionale e servizio post-vendita per aiutare i clienti a risolvere i vari problemi incontrati durante il processo di produzione.

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SPECIFICHE DEL WAFER

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bordo del wafer

Smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Finitura superficiale

Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP

Rugosità superficiale

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

Chip di bordo

Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm)

Rientri

Nessuno consentito

Graffi (Si-Face)

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Crepe

Nessuno consentito

Esclusione dei bordi

3 mm

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