Wafer GaAs da 4 pollici

Il wafer GaAs da 4 pollici di VET Energy è un materiale essenziale per dispositivi optoelettronici e ad alta velocità, inclusi amplificatori RF, LED e celle solari. Questi wafer sono noti per la loro elevata mobilità elettronica e la capacità di funzionare a frequenze più elevate, rendendoli un componente chiave nelle applicazioni avanzate di semiconduttori. VET Energy garantisce wafer GaAs di alta qualità con spessore uniforme e difetti minimi, adatti a una gamma di processi di fabbricazione impegnativi.

Questi wafer GaAs da 4 pollici sono compatibili con vari materiali semiconduttori come Si Wafer, substrato SiC, wafer SOI e substrato SiN, rendendoli versatili per l'integrazione in diverse architetture di dispositivi. Sia che vengano utilizzati per la produzione di Epi Wafer o insieme a materiali all'avanguardia come l'ossido di gallio Ga2O3 e l'AlN Wafer, offrono una base affidabile per l'elettronica di prossima generazione. Inoltre, i wafer sono completamente compatibili con i sistemi di movimentazione basati su cassette, garantendo operazioni fluide sia in ambienti di ricerca che di produzione ad alti volumi.

VET Energy offre un portafoglio completo di substrati semiconduttori, tra cui Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 e AlN Wafer. La nostra diversificata linea di prodotti soddisfa le esigenze di varie applicazioni elettroniche, dall'elettronica di potenza alla RF e all'optoelettronica.

VET Energy offre wafer GaAs personalizzabili per soddisfare i vostri requisiti specifici, inclusi diversi livelli di drogaggio, orientamenti e finiture superficiali. Il nostro team di esperti fornisce supporto tecnico e servizio post-vendita per garantire il vostro successo.