Il wafer SOI da 12 pollici VET Energy è un materiale di substrato semiconduttore ad alte prestazioni, molto apprezzato per le sue eccellenti proprietà elettriche e la struttura unica. VET Energy utilizza processi avanzati di produzione di wafer SOI per garantire che il wafer abbia corrente di dispersione estremamente bassa, alta velocità e resistenza alle radiazioni, fornendo una solida base per i circuiti integrati ad alte prestazioni.
La linea di prodotti di VET Energy non si limita ai wafer SOI. Forniamo anche un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, ecc., nonché nuovi materiali semiconduttori ad ampio gap di banda come Gallium Oxide Ga2O3 e AlN Wafer. Questi prodotti possono soddisfare le esigenze applicative di diversi clienti nei settori dell'elettronica di potenza, RF, sensori e altri campi.
Concentrandosi sull'eccellenza, i nostri wafer SOI utilizzano anche materiali avanzati come ossido di gallio Ga2O3, cassette e wafer AlN per garantire affidabilità ed efficienza a ogni livello operativo. Affidati a VET Energy per fornire soluzioni all'avanguardia che aprono la strada al progresso tecnologico.
Scatena il potenziale del tuo progetto con le prestazioni superiori dei wafer SOI da 12 pollici VET Energy. Potenzia le tue capacità di innovazione con wafer che incarnano qualità, precisione e innovazione, gettando le basi per il successo nel campo dinamico della tecnologia dei semiconduttori. Scegli VET Energy per soluzioni wafer SOI premium che superano le aspettative.
SPECIFICHE DEL WAFER
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformazione(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Bordo del wafer | Smussatura |
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura superficiale | Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP | ||||
Rugosità superficiale | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm | |||
Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Rientri | Nessuno consentito | ||||
Graffi (Si-Face) | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | ||
Crepe | Nessuno consentito | ||||
Esclusione dei bordi | 3 mm |