GaN da 4 pollici su wafer SiC

Breve descrizione:

Il wafer GaN su SiC da 4 pollici di VET Energy è un prodotto rivoluzionario nel campo dell'elettronica di potenza. Questo wafer combina l'eccellente conduttività termica del carburo di silicio (SiC) con l'elevata densità di potenza e la bassa perdita del nitruro di gallio (GaN), rendendolo la scelta ideale per realizzare dispositivi ad alta frequenza e ad alta potenza. VET Energy garantisce prestazioni e consistenza eccellenti del wafer attraverso l'avanzata tecnologia epitassiale MOCVD.

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Dettagli del prodotto

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La linea di prodotti di VET Energy non si limita al GaN su wafer SiC. Forniamo anche un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, ecc. Inoltre, stiamo anche sviluppando attivamente nuovi materiali semiconduttori con ampio gap di banda, come Ossido di gallio Ga2O3 e AlN Wafer, per soddisfare la futura domanda del settore dell'elettronica di potenza di dispositivi con prestazioni più elevate.

VET Energy fornisce servizi di personalizzazione flessibili e può personalizzare strati epitassiali GaN di diversi spessori, diversi tipi di drogaggio e diverse dimensioni di wafer in base alle esigenze specifiche dei clienti. Inoltre, forniamo anche supporto tecnico professionale e servizio post-vendita per aiutare i clienti a sviluppare rapidamente dispositivi elettronici di potenza ad alte prestazioni.

SPECIFICHE DEL WAFER

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo	8 pollici	6 pollici			4 pollici
Articolo	nP	n-pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Deformazione(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Bordo del wafer	Smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo	8 pollici	6 pollici			4 pollici
	nP	n-pm	n-Ps	SI	SI
Finitura superficiale	Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP
Rugosità superficiale	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm Faccia C Ra ≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm Faccia C Ra ≤ 0,5 nm
Chip di bordo	Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm)
Rientri	Nessuno consentito
Graffi (Si-Face)	Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer	Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer			Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer
Crepe	Nessuno consentito
Esclusione dei bordi	3 mm