Wafer di silicio di tipo P da 6 pollici

Breve descrizione:

Il wafer di silicio di tipo P da 6 pollici VET Energy è un materiale di base semiconduttore di alta qualità, ampiamente utilizzato nella produzione di vari dispositivi elettronici. VET Energy utilizza un processo avanzato di crescita CZ per garantire che il wafer abbia un'eccellente qualità dei cristalli, una bassa densità di difetti e un'elevata uniformità.


Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

La linea di prodotti di VET Energy non si limita ai wafer di silicio. Forniamo anche un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN, wafer Epi, ecc., nonché nuovi materiali semiconduttori con ampio gap di banda come ossido di gallio Ga2O3 e wafer AlN. Questi prodotti possono soddisfare le esigenze applicative di diversi clienti nei settori dell'elettronica di potenza, della radiofrequenza, dei sensori e di altri settori.

Campi di applicazione:
Circuiti integrati:Come materiale di base per la produzione di circuiti integrati, i wafer di silicio di tipo P sono ampiamente utilizzati in vari circuiti logici, memorie, ecc.
Dispositivi di potenza:I wafer di silicio di tipo P possono essere utilizzati per realizzare dispositivi di potenza come transistor e diodi di potenza.
Sensori:I wafer di silicio di tipo P possono essere utilizzati per realizzare vari tipi di sensori, come sensori di pressione, sensori di temperatura, ecc.
Celle solari:I wafer di silicio di tipo P sono un componente importante delle celle solari.

VET Energy fornisce ai clienti soluzioni wafer personalizzate e può personalizzare wafer con diversa resistività, diverso contenuto di ossigeno, diverso spessore e altre specifiche in base alle esigenze specifiche dei clienti. Inoltre, forniamo anche supporto tecnico professionale e servizio post-vendita per aiutare i clienti a risolvere i vari problemi incontrati nel processo di produzione.

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SPECIFICHE DEL WAFER

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bordo del wafer

Smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Finitura superficiale

Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP

Rugosità superficiale

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

Chip di bordo

Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm)

Rientri

Nessuno consentito

Graffi (Si-Face)

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Crepe

Nessuno consentito

Esclusione dei bordi

3 mm

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