A oblea de silicio tipo P de 8 polgadas de VET Energy é unha oblea de silicio de alto rendemento deseñada para unha ampla gama de aplicacións de semicondutores, incluíndo células solares, dispositivos MEMS e circuítos integrados. Coñecida pola súa excelente condutividade eléctrica e rendemento consistente, esta oblea é a opción preferida para os fabricantes que buscan producir compoñentes electrónicos fiables e eficientes. VET Energy garante niveis de dopaxe precisos e un acabado superficial de alta calidade para unha fabricación óptima do dispositivo.
Estas obleas de silicio tipo P de 8 polgadas son totalmente compatibles con varios materiais como o substrato de SiC, a oblea SOI, o substrato de SiN e son adecuadas para o crecemento de obleas Epi, o que garante a versatilidade para os procesos avanzados de fabricación de semicondutores. As obleas tamén se poden usar xunto con outros materiais de alta tecnoloxía como o óxido de galio Ga2O3 e o AlN Wafer, polo que son ideais para aplicacións electrónicas de próxima xeración. O seu deseño robusto tamén encaixa perfectamente nos sistemas baseados en casetes, o que garante un manexo eficiente e de gran volume de produción.
VET Energy ofrece aos clientes solucións de obleas personalizadas. Podemos personalizar obleas con diferente resistividade, contido de osíxeno, grosor, etc. segundo as necesidades específicas dos clientes. Ademais, tamén ofrecemos soporte técnico profesional e servizo posvenda para axudar aos clientes a resolver varios problemas atopados durante o proceso de produción.
ESPECIFICACIÓNS DA OBLEA
*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante
Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6um | ≤ 6um | |||
Bow (GF3YFCD) - Valor absoluto | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 25 μm | ≤ 15 μm | |
Deformación (GF3YFER) | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | ≤ 25 μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
Borde de oblea | Biselado |
ACABADO SUPERFICIAL
*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante
Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
Acabado superficial | Esmalte óptico de doble cara, Si-face CMP | ||||
Rugosidade superficial | (10um x 10um) Si-FaceRa ≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips de borde | Ningún permitido (longo e ancho ≥0,5 mm) | ||||
sangrías | Ningún permitido | ||||
Arañazos (Si-face) | Cant.≤5,Acumulativo | Cant.≤5,Acumulativo | Cant.≤5,Acumulativo | ||
Gretas | Ningún permitido | ||||
Exclusión de borde | 3 mm |