A oblea SOI de VET Energy de 12 polgadas é un material de substrato semicondutor de alto rendemento, moi favorecido polas súas excelentes propiedades eléctricas e a súa estrutura única. VET Energy utiliza procesos avanzados de fabricación de obleas SOI para garantir que a oblea teña unha corrente de fuga extremadamente baixa, alta velocidade e resistencia á radiación, proporcionando unha base sólida para os seus circuítos integrados de alto rendemento.
A liña de produtos de VET Energy non se limita ás obleas SOI. Tamén ofrecemos unha ampla gama de materiais de substrato de semicondutores, incluíndo Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., así como novos materiais semicondutores de banda ampla como o óxido de galio Ga2O3 e AlN Wafer. Estes produtos poden satisfacer as necesidades de aplicación de diferentes clientes en electrónica de potencia, RF, sensores e outros campos.
Centrándonos na excelencia, as nosas obleas SOI tamén usan materiais avanzados como o óxido de galio Ga2O3, casetes e obleas de AlN para garantir a fiabilidade e a eficiencia en todos os niveis operativos. Confía en VET Energy para ofrecer solucións de vangarda que abran o camiño para o avance tecnolóxico.
Libera o potencial do teu proxecto co rendemento superior das obleas SOI VET Energy de 12 polgadas. Aumente as súas capacidades de innovación con obleas que encarnan calidade, precisión e innovación, sentando as bases para o éxito no campo dinámico da tecnoloxía de semicondutores. Escolla VET Energy para obter solucións de obleas SOI premium que superan as expectativas.
ESPECIFICACIÓNS DA OBLEA
*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante
Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤ 6um | ≤ 6um | |||
Bow (GF3YFCD) - Valor absoluto | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 25 μm | ≤ 15 μm | |
Deformación (GF3YFER) | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | ≤ 25 μm | |
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2 μm | ||||
Borde de oblea | Biselado |
ACABADO SUPERFICIAL
*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante
Elemento | 8 polgadas | 6 polgadas | 4 polgadas | ||
nP | n-p.m | n-Ps | SI | SI | |
Acabado superficial | Esmalte óptico de doble cara, Si-face CMP | ||||
Rugosidade superficial | (10um x 10um) Si-FaceRa ≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Chips de borde | Ningún permitido (longo e ancho ≥0,5 mm) | ||||
sangrías | Ningún permitido | ||||
Arañazos (Si-face) | Cant.≤5,Acumulativo | Cant.≤5,Acumulativo | Cant.≤5,Acumulativo | ||
Gretas | Ningún permitido | ||||
Exclusión de borde | 3 mm |