Oblea GaAs de 4 polgadas

A oblea GaAs de 4 polgadas de VET Energy é un material esencial para dispositivos optoelectrónicos e de alta velocidade, incluíndo amplificadores de RF, LED e células solares. Estas obleas son coñecidas pola súa alta mobilidade de electróns e a súa capacidade de operar a frecuencias máis altas, o que as converte nun compoñente clave en aplicacións avanzadas de semicondutores. VET Energy garante obleas de GaAs de alta calidade cun grosor uniforme e defectos mínimos, axeitados para unha serie de procesos de fabricación esixentes.

Estas obleas GaAs de 4 polgadas son compatibles con varios materiais semicondutores como Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer e SiN Substrate, polo que son versátiles para a súa integración en diferentes arquitecturas de dispositivos. Xa se utilicen para a produción de Epi Wafer ou xunto con materiais de vangarda como o óxido de galio Ga2O3 e o AlN Wafer, ofrecen unha base fiable para a electrónica de próxima xeración. Ademais, as obleas son totalmente compatibles cos sistemas de manipulación baseados en casete, o que garante un bo funcionamento tanto en ambientes de investigación como de produción de gran volume.

VET Energy ofrece unha carteira completa de substratos semicondutores, incluíndo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 e AlN Wafer. A nosa diversa liña de produtos atende ás necesidades de varias aplicacións electrónicas, desde electrónica de potencia ata RF e optoelectrónica.

VET Energy ofrece obleas de GaAs personalizables para satisfacer os seus requisitos específicos, incluíndo diferentes niveis de dopaxe, orientacións e acabados de superficie. O noso equipo de expertos ofrece soporte técnico e servizo posvenda para garantir o seu éxito.