Oblea de SiC semi illante de 6 polgadas

Breve descrición:

A oblea de carburo de silicio (SiC) semi-illante VET Energy de 6 polgadas é un substrato de alta calidade ideal para unha ampla gama de aplicacións de electrónica de potencia. VET Energy emprega técnicas de crecemento avanzadas para producir obleas de SiC cunha calidade de cristal excepcional, baixa densidade de defectos e alta resistividade.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

A oblea de SiC semi illante de 6 polgadas de VET Energy é unha solución avanzada para aplicacións de alta potencia e alta frecuencia, que ofrece unha condutividade térmica e un illamento eléctrico superiores. Estas obleas semi-illantes son esenciais no desenvolvemento de dispositivos como amplificadores de RF, interruptores de enerxía e outros compoñentes de alta tensión. VET Energy garante unha calidade e un rendemento consistentes, polo que estas obleas son idóneas para unha ampla gama de procesos de fabricación de semicondutores.

Ademais das súas excelentes propiedades illantes, estas obleas de SiC son compatibles cunha variedade de materiais, incluíndo obleas de Si, substrato de SiC, obleas de SOI, substrato de SiN e obleas de epi, polo que son versátiles para diferentes tipos de procesos de fabricación. Ademais, pódense usar materiais avanzados como o óxido de galio Ga2O3 e o AlN Wafer en combinación con estas obleas de SiC, proporcionando aínda maior flexibilidade en dispositivos electrónicos de alta potencia. As obleas están deseñadas para unha integración perfecta con sistemas de manipulación estándar da industria, como os sistemas de casete, o que garante a facilidade de uso en escenarios de produción en masa.

VET Energy ofrece unha carteira completa de substratos semicondutores, incluíndo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 e AlN Wafer. A nosa diversa liña de produtos atende ás necesidades de varias aplicacións electrónicas, desde electrónica de potencia ata RF e optoelectrónica.

A oblea de SiC semiisolante de 6 polgadas ofrece varias vantaxes:
Alta tensión de avaría: o ancho de banda de SiC permite tensións de avaría máis altas, o que permite dispositivos de enerxía máis compactos e eficientes.
Operación a alta temperatura: a excelente condutividade térmica de SiC permite o funcionamento a temperaturas máis altas, mellorando a fiabilidade do dispositivo.
Baixa resistencia ao encendido: os dispositivos SiC presentan unha menor resistencia ao encendido, o que reduce as perdas de enerxía e mellora a eficiencia enerxética.

VET Energy ofrece obleas de SiC personalizables para satisfacer os seus requisitos específicos, incluíndo diferentes espesores, niveis de dopaxe e acabados de superficie. O noso equipo de expertos ofrece soporte técnico e servizo posvenda para garantir o seu éxito.

第6页-36
第6页-35

ESPECIFICACIÓNS DA OBLEA

*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante

Elemento

8 polgadas

6 polgadas

4 polgadas

nP

n-p.m

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤ 6um

≤ 6um

Bow (GF3YFCD) - Valor absoluto

≤ 15 μm

≤ 15 μm

≤ 25 μm

≤ 15 μm

Deformación (GF3YFER)

≤ 25 μm

≤ 25 μm

≤ 40 μm

≤ 25 μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2 μm

Borde de oblea

Biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante

Elemento

8 polgadas

6 polgadas

4 polgadas

nP

n-p.m

n-Ps

SI

SI

Acabado superficial

Esmalte óptico de doble cara, Si-face CMP

Rugosidade superficial

(10um x 10um) Si-FaceRa ≤0,2 nm
C-Face Ra ≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0,5 nm

Chips de borde

Ningún permitido (longo e ancho ≥0,5 mm)

sangrías

Ningún permitido

Arañazos (Si-face)

Cant.≤5,Acumulativo
Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea

Cant.≤5,Acumulativo
Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea

Cant.≤5,Acumulativo
Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea

Gretas

Ningún permitido

Exclusión de borde

3 mm

tech_1_2_tamaño
下载 (2)

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Chat en liña de WhatsApp!