Nouvelles

Socles couramment utilisés pour l'épitaxie en phase vapeur
par administrateur le 24-07-30
Lors du processus d'épitaxie en phase vapeur (VPE), le rôle du socle est de soutenir le substrat et d'assurer un chauffage uniforme pendant le processus de croissance. Différents types de socles conviennent à différentes conditions de croissance et systèmes de matériaux. Voici quelques-uns...
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Comment prolonger la durée de vie des produits revêtus de carbure de tantale ?
par administrateur le 24-07-26
Les produits revêtus de carbure de tantale sont un matériau à haute température couramment utilisé, caractérisé par une résistance aux températures élevées, à la corrosion, à l'usure, etc. Par conséquent, ils sont largement utilisés dans des industries telles que l'aérospatiale, la chimie et l'énergie. Afin d'ex...
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Quelle est la différence entre le PECVD et le LPCVD dans les équipements CVD à semi-conducteurs ?
par administrateur le 24-07-24
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) fait référence au processus de dépôt d'un film solide sur la surface d'une plaquette de silicium par une réaction chimique d'un mélange gazeux. Selon les différentes conditions de réaction (pression, précurseur), il peut être divisé en différents équipements...
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Caractéristiques du moule en graphite en carbure de silicium
par administrateur le 24-07-18
Moule en graphite en carbure de silicium Le moule en graphite en carbure de silicium est un moule composite avec du carbure de silicium (SiC) comme base et du graphite comme matériau de renforcement. Ce moule a une excellente conductivité thermique, une résistance aux températures élevées, une résistance à la corrosion et...
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Processus semi-conducteur processus complet de photolithographie
par administrateur le 24-07-16
La fabrication de chaque produit semi-conducteur nécessite des centaines de processus. Nous divisons l'ensemble du processus de fabrication en huit étapes : traitement de la plaquette-oxydation-photolithographie-gravure-dépôt de couche mince-croissance épitaxiale-diffusion-implantation ionique. Pour vous aider...
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4 milliards ! SK Hynix annonce un investissement dans un emballage avancé de semi-conducteurs au Purdue Research Park
par administrateur le 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. a annoncé son intention d'investir près de 4 milliards de dollars pour construire une installation avancée de fabrication d'emballages et de R&D pour les produits d'intelligence artificielle au Purdue Research Park. Établir un maillon clé dans la chaîne d'approvisionnement américaine en semi-conducteurs à West Lafayett...
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La technologie laser mène la transformation de la technologie de traitement des substrats en carbure de silicium
par administrateur le 24-07-08
1. Aperçu de la technologie de traitement des substrats en carbure de silicium Les étapes actuelles de traitement des substrats en carbure de silicium comprennent : le meulage du cercle extérieur, le tranchage, le chanfreinage, le meulage, le polissage, le nettoyage, etc. Le tranchage est une étape importante dans la pr...
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Matériaux de champ thermique courants : matériaux composites C/C
par administrateur le 24-07-01
Les composites carbone-carbone sont un type de composites en fibre de carbone, avec de la fibre de carbone comme matériau de renforcement et du carbone déposé comme matériau de matrice. La matrice des composites C/C est le carbone. Puisqu'il est presque entièrement composé de carbone élémentaire, il présente une excellente résistance aux hautes températures...
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Trois techniques majeures pour la croissance des cristaux de SiC
par administrateur le 24-07-01
Comme le montre la figure 3, il existe trois techniques dominantes visant à fournir un monocristal de SiC de haute qualité et efficacité : l'épitaxie en phase liquide (LPE), le transport physique de vapeur (PVT) et le dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HTCVD). Le PVT est un procédé bien établi pour produire du SiC sin...
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