Oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas

Breve descripción:

La oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas de VET Energy es un sustrato de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de semiconductores avanzadas, que ofrece una conductividad térmica y eficiencia energética superiores. VET Energy utiliza tecnología de punta para producir obleas de alta calidad que cumplen con las rigurosas demandas de la electrónica moderna, garantizando confiabilidad y durabilidad en los dispositivos de energía.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

Esta oblea de SiC tipo N de 6 pulgadas está diseñada para mejorar el rendimiento en condiciones extremas, lo que la convierte en una opción ideal para aplicaciones que requieren alta potencia y resistencia a la temperatura. Los productos clave asociados con esta oblea incluyen Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer y SiN Substrate. Estos materiales garantizan un rendimiento óptimo en una variedad de procesos de fabricación de semiconductores, lo que permite dispositivos que son a la vez eficientes energéticamente y duraderos.

Para las empresas que trabajan con oblea Epi, óxido de galio Ga2O3, casete o oblea AlN, la oblea SiC tipo N de 6 pulgadas de VET Energy proporciona la base necesaria para el desarrollo de productos innovadores. Ya sea en electrónica de alta potencia o en lo último en tecnología de RF, estas obleas garantizan una conductividad excelente y una resistencia térmica mínima, superando los límites de la eficiencia y el rendimiento.

Capítulo 6 -36
Capítulo 6-35

ESPECIFICACIONES DE OBLEAS

*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante

Artículo

8 pulgadas

6 pulgadas

4 pulgadas

notario público

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arco(GF3YFCD)-Valor absoluto

≤15 μm

≤15 μm

≤25 μm

≤15 μm

Deformación (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borde de oblea

biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante

Artículo

8 pulgadas

6 pulgadas

4 pulgadas

notario público

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabado superficial

Pulido óptico de doble cara, Si-Face CMP

Rugosidad de la superficie

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
Cara C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Cara de Si Ra≤0.2nm
Cara C Ra≤0.5nm

Astillas de borde

Ninguno permitido (largo y ancho ≥0,5 mm)

Sangrías

Ninguno permitido

Arañazos (Si-Cara)

Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea

Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea

Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea

Grietas

Ninguno permitido

Exclusión de borde

3mm

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