Oblea de silicio de 12 pulgadas para fabricación de semiconductores

Breve descripción:

Las obleas de silicio de 12 pulgadas de VET Energy son los materiales básicos fundamentales de la industria de fabricación de semiconductores. VET Energy utiliza tecnología avanzada de crecimiento de CZ para garantizar que las obleas tengan una excelente calidad de cristal, baja densidad de defectos y alta uniformidad, proporcionando un sustrato sólido y confiable para sus dispositivos semiconductores.


Detalle del producto

Etiquetas de producto

La oblea de silicio de 12 pulgadas para la fabricación de semiconductores que ofrece VET Energy está diseñada para cumplir con los estándares precisos requeridos en la industria de los semiconductores. Como uno de los productos líderes de nuestra línea, VET Energy garantiza que estas obleas se produzcan con una planitud, pureza y calidad de superficie exigentes, lo que las hace ideales para aplicaciones de semiconductores de vanguardia, incluidos microchips, sensores y dispositivos electrónicos avanzados.

Esta oblea es compatible con una amplia gama de materiales como Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate y Epi Wafer, lo que proporciona una excelente versatilidad para diversos procesos de fabricación. Además, combina bien con tecnologías avanzadas como el óxido de galio Ga2O3 y la oblea AlN, lo que garantiza que pueda integrarse en aplicaciones altamente especializadas. Para un funcionamiento fluido, la oblea está optimizada para su uso con sistemas de casete estándar de la industria, lo que garantiza un manejo eficiente en la fabricación de semiconductores.

La línea de productos de VET Energy no se limita a obleas de silicio. También ofrecemos una amplia gama de materiales de sustrato semiconductor, incluidos sustrato de SiC, oblea SOI, sustrato de SiN, oblea Epi, etc., así como nuevos materiales semiconductores de banda prohibida amplia como óxido de galio Ga2O3 y oblea de AlN. Estos productos pueden satisfacer las necesidades de aplicación de diferentes clientes en electrónica de potencia, radiofrecuencia, sensores y otros campos.

Áreas de aplicación:
Chips lógicos:Fabricación de chips lógicos de alto rendimiento como CPU y GPU.
Chips de memoria:Fabricación de chips de memoria como DRAM y NAND Flash.
Chips analógicos:Fabricación de chips analógicos como ADC y DAC.
Sensores:Sensores MEMS, sensores de imagen, etc.

VET Energy ofrece a los clientes soluciones de obleas personalizadas y puede personalizar obleas con diferente resistividad, diferente contenido de oxígeno, diferente espesor y otras especificaciones según las necesidades específicas de los clientes. Además, también brindamos soporte técnico profesional y servicio posventa para ayudar a los clientes a optimizar los procesos de producción y mejorar el rendimiento del producto.

Capítulo 6 -36
Capítulo 6-35

ESPECIFICACIONES DE OBLEAS

*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante

Artículo

8 pulgadas

6 pulgadas

4 pulgadas

notario público

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arco(GF3YFCD)-Valor absoluto

≤15 μm

≤15 μm

≤25 μm

≤15 μm

Deformación (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borde de oblea

biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante

Artículo

8 pulgadas

6 pulgadas

4 pulgadas

notario público

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabado superficial

Pulido óptico de doble cara, Si-Face CMP

Rugosidad de la superficie

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
Cara C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Cara de Si Ra≤0.2nm
Cara C Ra≤0.5nm

Astillas de borde

Ninguno permitido (largo y ancho ≥0,5 mm)

Sangrías

Ninguno permitido

Arañazos (Si-Cara)

Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea

Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea

Cant. ≤ 5, acumulativo
Longitud≤0,5×diámetro de oblea

Grietas

Ninguno permitido

Exclusión de borde

3mm

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