Oblea GaN de 4 pulgadas en SiC

La línea de productos de VET Energy no se limita a GaN en obleas de SiC. También ofrecemos una amplia gama de materiales de sustrato semiconductor, incluidos Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Además, también estamos desarrollando activamente nuevos materiales semiconductores de banda ancha, como el óxido de galio Ga2O3 y AlN. Wafer, para satisfacer la futura demanda de dispositivos de mayor rendimiento de la industria de la electrónica de potencia.

VET Energy ofrece servicios de personalización flexibles y puede personalizar capas epitaxiales de GaN de diferentes espesores, diferentes tipos de dopaje y diferentes tamaños de obleas según las necesidades específicas de los clientes. Además, también brindamos soporte técnico profesional y servicio posventa para ayudar a los clientes a desarrollar rápidamente dispositivos electrónicos de potencia de alto rendimiento.