La línea de productos de VET Energy no se limita a obleas de silicio. También ofrecemos una amplia gama de materiales de sustrato semiconductor, incluidos sustrato de SiC, oblea SOI, sustrato de SiN, oblea Epi, etc., así como nuevos materiales semiconductores de banda prohibida amplia como óxido de galio Ga2O3 y oblea de AlN. Estos productos pueden satisfacer las necesidades de aplicación de diferentes clientes en electrónica de potencia, radiofrecuencia, sensores y otros campos.
Campos de aplicación:
•Circuitos integrados:Como material básico para la fabricación de circuitos integrados, las obleas de silicio tipo P se utilizan ampliamente en diversos circuitos lógicos, memorias, etc.
•Dispositivos de energía:Las obleas de silicio tipo P se pueden utilizar para fabricar dispositivos de potencia como transistores y diodos de potencia.
•Sensores:Las obleas de silicio tipo P se pueden utilizar para fabricar varios tipos de sensores, como sensores de presión, sensores de temperatura, etc.
•Células solares:Las obleas de silicio tipo P son un componente importante de las células solares.
VET Energy ofrece a los clientes soluciones de obleas personalizadas y puede personalizar obleas con diferente resistividad, diferente contenido de oxígeno, diferente espesor y otras especificaciones según las necesidades específicas de los clientes. Además, también brindamos soporte técnico profesional y servicio posventa para ayudar a los clientes a resolver diversos problemas encontrados en el proceso de producción.
ESPECIFICACIONES DE OBLEAS
*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante
Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco(GF3YFCD)-Valor absoluto | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
Deformación (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Borde de oblea | biselado |
ACABADO SUPERFICIAL
*n-Pm=tipo n Grado Pm,n-Ps=tipo n Grado Ps,Sl=Semiaislante
Artículo | 8 pulgadas | 6 pulgadas | 4 pulgadas | ||
notario público | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Acabado superficial | Pulido óptico de doble cara, Si-Face CMP | ||||
Rugosidad de la superficie | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Cara de Si Ra≤0.2nm | |||
Astillas de borde | Ninguno permitido (largo y ancho ≥0,5 mm) | ||||
Sangrías | Ninguno permitido | ||||
Arañazos (Si-Cara) | Cant. ≤ 5, acumulativo | Cant. ≤ 5, acumulativo | Cant. ≤ 5, acumulativo | ||
Grietas | Ninguno permitido | ||||
Exclusión de borde | 3mm |