Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle, kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur, um hochreine SiC-Moleküle zu gewinnen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine schützende SiC-Schicht.
Hauptmerkmale:
1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:
Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.
2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
4. Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.
Hauptspezifikationen der CVD-SiC-Beschichtung:
| SiC-CVD-Eigenschaften | ||
| Kristallstruktur | FCC β-Phase | |
| Dichte | g/cm³ | 3.21 |
| Härte | Vickers-Härte | 2500 |
| Körnung | μm | 2–10 |
| Chemische Reinheit | % | 99,99995 |
| Wärmekapazität | J·kg-1·K-1 | 640 |
| Sublimationstemperatur | ℃ | 2700 |
| Felexurale Stärke | MPa (RT 4-Punkt) | 415 |
| Elastizitätsmodul | Gpa (4pt Biegung, 1300℃) | 430 |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 10-6K-1 | 4,5 |
| Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300 |
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