Qualitätsprüfung für chinesisches industrielles polykristallines Diamantpulver (3-6 µm) für Saphirwafer

Kurzbeschreibung:


  • Herkunftsort:China
  • Kristallstruktur:FCCβ-Phase
  • Dichte :3,21 g/cm;
  • Härte:2500 Vickers;
  • Korngröße:2–10 μm;
  • Chemische Reinheit:99,99995 %;
  • Wärmekapazität:640 J·kg-1·K-1;
  • Sublimationstemperatur:2700℃;
  • Felexurale Stärke:415 MPa (RT 4-Punkt);
  • Elastizitätsmodul:430 Gpa (4pt Biegung, 1300℃);
  • Wärmeausdehnung (CTE):4,5 10-6K-1;
  • Wärmeleitfähigkeit:300 (W/MK);
  • Produktdetails

    Produkt-Tags

    „Aufrichtigkeit, Innovation, Sorgfalt und Effizienz“ – diese Werte bilden die Grundlage unserer langfristigen Unternehmensphilosophie für die gemeinsame Entwicklung mit unseren Kunden im Bereich der Qualitätsprüfung für polykristalline Industrieprodukte aus China. Wir setzen uns für gegenseitigen Nutzen und eine partnerschaftliche Zusammenarbeit ein.DiamantpulverWir sind zuversichtlich, dass wir mit unseren Saphirwafern im Bereich von 3–6 µm qualitativ hochwertige Produkte und Lösungen zu einem fairen Preis sowie einen erstklassigen Kundendienst anbieten können. Wir streben eine erfolgreiche und langfristige Zusammenarbeit an.
    „Aufrichtigkeit, Innovation, Gründlichkeit und Effizienz“ ist die beständige Unternehmensphilosophie für die langfristige, gemeinsame Entwicklung mit unseren Kunden zum gegenseitigen Nutzen.Chinesischer synthetischer Diamant, DiamantpulverWir halten stets an dem Managementgrundsatz „Qualität steht an erster Stelle, Technologie ist die Basis, Ehrlichkeit und Innovation“ fest. Dadurch sind wir in der Lage, kontinuierlich neue Produkte auf einem höheren Niveau zu entwickeln, um den unterschiedlichen Bedürfnissen unserer Kunden gerecht zu werden.
    Produktbeschreibung

    Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle, kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur, um hochreine SiC-Moleküle zu gewinnen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine schützende SiC-Schicht.

    Hauptmerkmale:

    1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

    Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

    2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

    3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

    4. Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.

    Hauptspezifikationen der CVD-SiC-Beschichtung

    SiC-CVD-Eigenschaften

    Kristallstruktur FCC β-Phase
    Dichte g/cm³ 3.21
    Härte Vickers-Härte 2500
    Körnung μm 2–10
    Chemische Reinheit % 99,99995
    Wärmekapazität J·kg-1 ·K-1 640
    Sublimationstemperatur 2700
    Felexurale Stärke MPa (RT 4-Punkt) 415
    Elastizitätsmodul Gpa (4pt Biegung, 1300℃) 430
    Wärmeausdehnung (CTE) 10-6K-1 4,5
    Wärmeleitfähigkeit (W/mK) 300

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