Qualitätsprüfung für China Industrial Polykristallines Diamantpulver 3-6 um für Saphirwafer

Kurzbeschreibung:


  • Herkunftsort:China
  • Kristallstruktur:FCCβ-Phase
  • Dichte :3,21 g/cm;
  • Härte:2500 Vickers;
  • Korngröße:2~10μm;
  • Chemische Reinheit:99,99995 %;
  • Wärmekapazität:640J·kg-1·K-1;
  • Sublimationstemperatur:2700℃;
  • Biegekraft:415 MPa (RT 4-Punkt);
  • Elastizitätsmodul:430 Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃);
  • Wärmeausdehnung (CTE):4,5 10-6K-1;
  • Wärmeleitfähigkeit:300 (W/MK);
  • Produktdetails

    Produkt-Tags

    „Aufrichtigkeit, Innovation, Strenge und Effizienz“ ist das beharrliche Konzept unseres Unternehmens, das wir langfristig gemeinsam mit unseren Kunden weiterentwickeln wollen, um gegenseitige Gegenseitigkeit und gegenseitigen Nutzen für die Qualitätsprüfung für China Industrial Polykristalline zu erreichenDiamantpulver3–6 µm für Saphirwafer. Wir sind zuversichtlich, dass wir den Käufern qualitativ hochwertige Produkte und Lösungen zu einem vernünftigen Preis und erstklassigem After-Sales-Support anbieten können. Und wir werden langfristig ein dynamisches Unternehmen aufbauen.
    „Aufrichtigkeit, Innovation, Strenge und Effizienz“ ist das beständige Konzept unseres Unternehmens, das wir gemeinsam mit unseren Kunden langfristig entwickeln wollen, um gegenseitige Gegenseitigkeit und gegenseitigen Nutzen zu erzielenSynthetischer Diamant aus China, DiamantpulverWir bestehen stets auf dem Managementgrundsatz „Qualität steht an erster Stelle, Technologie ist Basis, Ehrlichkeit und Innovation“. Wir sind in der Lage, kontinuierlich neue Produkte auf einem höheren Niveau zu entwickeln, um die unterschiedlichen Bedürfnisse der Kunden zu erfüllen.
    Produktbeschreibung

    Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern. Bildung einer SIC-Schutzschicht.

    Hauptmerkmale:

    1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

    Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.

    2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

    3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

    4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

    Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

    SiC-CVD-Eigenschaften

    Kristallstruktur FCC-β-Phase
    Dichte g/cm³ 3.21
    Härte Vickershärte 2500
    Körnung μm 2~10
    Chemische Reinheit % 99,99995
    Wärmekapazität J·kg-1 ·K-1 640
    Sublimationstemperatur 2700
    Biegekraft MPa (RT 4-Punkt) 415
    Elastizitätsmodul Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) 430
    Wärmeausdehnung (CTE) 10-6K-1 4.5
    Wärmeleitfähigkeit (W/mK) 300

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