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ProduktDBeschreibung
Siliziumkarbid-Waferboote werden häufig als Waferhalter im Hochtemperatur-Diffusionsprozess verwendet.
Vorteile:
Hohe Temperaturbeständigkeit:Normaler Gebrauch bei 1800 ℃
Hohe Wärmeleitfähigkeit:entspricht Graphitmaterial
Hohe Härte:Härte, die nach Diamant und Bornitrid an zweiter Stelle steht
Korrosionsbeständigkeit:Starke Säuren und Laugen weisen keine Korrosion auf, die Korrosionsbeständigkeit ist besser als bei Wolframcarbid und Aluminiumoxid
Geringes Gewicht:geringe Dichte, ähnlich wie Aluminium
Keine Verformung: niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient
Thermoschockbeständigkeit:Es hält starken Temperaturschwankungen stand, widersteht Thermoschocks und weist eine stabile Leistung auf
Physikalische Eigenschaften von SiC
| Eigentum | Wert | Verfahren |
| Dichte | 3,21 g/cm³ | Sink-Float und Dimension |
| Spezifische Wärme | 0,66 J/g °K | Gepulster Laserblitz |
| Biegefestigkeit | 450 MPa560 MPa | 4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300° |
| Bruchzähigkeit | 2,94 MPa m1/2 | Mikroindentation |
| Härte | 2800 | Vicker's, 500g Ladung |
| ElastizitätsmodulYoung-Modul | 450 GPa430 GPa | 4-Punkt-Bogen, RT4-Punkt-Bogen, 1300 °C |
| Körnung | 2 – 10 µm | SEM |
Thermische Eigenschaften von SiC
| Wärmeleitfähigkeit | 250 W/m°K | Laserblitzverfahren, RT |
| Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5 x 10-6 °K | Raumtemperatur bis 950 °C, Silica-Dilatometer |
