Personalisierte Produkte China Silizium-Kohlenstoff-Tiegel für Eisen- und Nichteisenlegierungen

Kurzbeschreibung:


Produktdetails

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Wir konzentrieren uns auch auf die Verbesserung der Produktverwaltung und des QC-Programms, damit wir im hart umkämpften Unternehmen für personalisierte Produkte China Silicon Carbon Crucible for Ferrous and Non-Ferrous Alloys einen großen Vorsprung behalten und eine konsistente, profitable und konstante Position erreichen können Weiterentwicklung durch Erlangung eines Wettbewerbsvorteils und durch kontinuierliche Erhöhung des Mehrwerts für unsere Aktionäre und unsere Mitarbeiter.
Wir konzentrieren uns auch auf die Verbesserung der Produktverwaltung und des QC-Programms, damit wir im hart umkämpften Unternehmen einen großen Vorsprung behalten könnenChina-Silica-Graphit-Tiegel, Graphitgießtiegel, Unser Unternehmen ist ein internationaler Lieferant dieser Art von Waren. Wir bieten eine erstaunliche Auswahl an hochwertigen Waren. Unser Ziel ist es, Sie mit unserer unverwechselbaren Kollektion aufmerksamer Artikel zu begeistern und gleichzeitig Wert und exzellenten Service zu bieten. Unsere Mission ist einfach: Unseren Kunden die besten Artikel und Dienstleistungen zu möglichst niedrigen Preisen anzubieten.

Produktbeschreibung

Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe(im Folgenden bezeichnet als „C/C oder FCKW“) ist eine Art Verbundwerkstoff, der auf Kohlenstoff basiert und durch Kohlenstofffasern und dessen Produkte (Kohlenstofffaser-Vorformling) verstärkt wird. Es verfügt sowohl über die Trägheit von Kohlenstoff als auch über die hohe Festigkeit von Kohlenstofffasern. Es verfügt über gute mechanische Eigenschaften, Wärmebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeitseigenschaften

CVD-SiCDie Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Alkalibeständigkeit und organische Reagenzien mit stabilen physikalischen und chemischen Eigenschaften aus.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was zu einer Umweltverschmutzung von Peripheriegeräten und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

Allerdings kann die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad aufrechterhalten. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig verwendet.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, Moleküle, die auf der Oberfläche der beschichteten Materialien abgeschieden werden. Bildung einer SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden, was der Graphitbasis besondere Eigenschaften verleiht und so die Oberfläche des Graphits kompakt, porösitätsfrei, hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig macht.

 Verarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cc)

3.21

Biegefestigkeit

(MPa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

Verarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Unternehmensinformationen

111

Fabrikausrüstungen

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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