OEM-Lieferant aus China: Aln Ain Aluminiumnitrid-Keramik mit hoher Isolierung

Kurzbeschreibung:


Produktdetails

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Wir konzentrieren uns außerdem auf die Verbesserung der Produktverwaltung und des Qualitätskontrollprogramms, um unseren herausragenden Vorteil im hart umkämpften Markt für OEM-Lieferungen in China (Aln Ain) zu sichern.Aluminiumnitrid-KeramikMit unseren hochisolierenden Produkten bieten wir nun vier führende Lösungen an. Unsere Produkte verkaufen sich nicht nur auf dem chinesischen Markt hervorragend, sondern sind auch international sehr gefragt.
Wir konzentrieren uns außerdem auf die Verbesserung der Produktverwaltung und des Qualitätskontrollprogramms, um unseren hervorragenden Wettbewerbsvorteil in diesem hart umkämpften Markt zu sichern.Aluminiumnitrid-Keramik, China AluminiumnitridUnsere Produkte werden weltweit exportiert. Unsere Kunden sind stets zufrieden mit unserer zuverlässigen Qualität, unserem kundenorientierten Service und unseren wettbewerbsfähigen Preisen. Unsere Mission ist es, „Ihre Treue weiterhin zu gewinnen, indem wir uns der ständigen Verbesserung unserer Produkte und Dienstleistungen widmen, um die Zufriedenheit unserer Endverbraucher, Kunden, Mitarbeiter, Lieferanten und der weltweiten Gemeinschaften, in denen wir zusammenarbeiten, zu gewährleisten.“

Produktbeschreibung

Kohlenstoff / Kohlenstoffverbundwerkstoffe(im Folgenden als „C / C oder FCKW“Es handelt sich um einen Verbundwerkstoff auf Kohlenstoffbasis, der durch Kohlenstofffasern und deren Produkte (Kohlenstofffaser-Preforms) verstärkt wird. Er vereint die Trägheit von Kohlenstoff mit der hohen Festigkeit von Kohlenstofffasern. Er zeichnet sich durch gute mechanische Eigenschaften, Hitzebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeit aus.

CVD-SiCDie Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Laugenbeständigkeit sowie Beständigkeit gegenüber organischen Reagenzien aus und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum Umweltverschmutzungen an peripheren Geräten und Vakuumkammern zur Folge hat und die Verunreinigungen in der hochreinen Umgebung erhöht.

Allerdings behält die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad. Sie findet breite Anwendung in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle, kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine schützende SiC-Schicht. Die gebildete SiC-Schicht ist fest mit dem Graphitsubstrat verbunden und verleiht diesem besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig sowie korrosions- und oxidationsbeständig.

 SiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-Suszeptoren

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SiC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cc)

3.21

Biegefestigkeit

(Mpa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

SiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-Suszeptoren

Unternehmensinformationen

111

Fabrikausrüstung

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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