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Einführung in den Halbleiter GaN der dritten Generation und die damit verbundene Epitaxietechnologie
1. Halbleiter der dritten Generation Die Halbleitertechnologie der ersten Generation wurde auf Basis von Halbleitermaterialien wie Si und Ge entwickelt. Es ist die materielle Grundlage für die Entwicklung von Transistoren und der integrierten Schaltkreistechnik. Die Halbleitermaterialien der ersten Generation legten den Grundstein...Mehr lesen -
Numerische Simulationsstudie zum Einfluss von porösem Graphit auf das Kristallwachstum von Siliziumkarbid
Der grundlegende Prozess des SiC-Kristallwachstums gliedert sich in die Sublimation und Zersetzung von Rohmaterialien bei hoher Temperatur, den Transport von Substanzen in der Gasphase unter der Wirkung eines Temperaturgradienten und das Rekristallisationswachstum von Substanzen in der Gasphase am Impfkristall. Darauf aufbauend...Mehr lesen -
Arten von Spezialgraphit
Spezialgraphit ist ein hochreiner, dichter und hochfester Graphitwerkstoff mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit, hoher Temperaturstabilität und hervorragender elektrischer Leitfähigkeit. Es wird aus natürlichem oder künstlichem Graphit nach Hochtemperatur-Wärmebehandlung und Hochdruckverarbeitung hergestellt ...Mehr lesen -
Analyse von Geräten zur Dünnschichtabscheidung – die Prinzipien und Anwendungen von PECVD/LPCVD/ALD-Geräten
Bei der Dünnfilmabscheidung wird eine Filmschicht auf das Hauptsubstratmaterial des Halbleiters aufgetragen. Dieser Film kann aus verschiedenen Materialien bestehen, wie z. B. einer isolierenden Verbindung aus Siliziumdioxid, Halbleiter-Polysilizium, Metallkupfer usw. Die für die Beschichtung verwendete Ausrüstung wird als Dünnschichtabscheidung bezeichnet...Mehr lesen -
Wichtige Materialien, die die Qualität des monokristallinen Siliziumwachstums bestimmen – thermisches Feld
Der Wachstumsprozess von monokristallinem Silizium erfolgt vollständig im thermischen Feld. Ein gutes Wärmefeld trägt zur Verbesserung der Kristallqualität bei und führt zu einer höheren Kristallisationseffizienz. Die Gestaltung des thermischen Feldes bestimmt maßgeblich die Veränderungen der Temperaturgradienten...Mehr lesen -
Was sind die technischen Schwierigkeiten des Siliziumkarbid-Kristallwachstumsofens?
Der Kristallwachstumsofen ist die Kernausrüstung für das Siliziumkarbid-Kristallwachstum. Es ähnelt dem herkömmlichen Kristallwachstumsofen für kristallines Silizium. Der Ofenaufbau ist nicht sehr kompliziert. Es besteht hauptsächlich aus Ofenkörper, Heizsystem, Spulenübertragungsmechanismus ...Mehr lesen -
Was sind die Mängel der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht?
Die Kerntechnologie für das Wachstum von SiC-Epitaxiematerialien ist zunächst die Defektkontrolltechnologie, insbesondere die Defektkontrolltechnologie, die anfällig für Geräteausfälle oder eine Verschlechterung der Zuverlässigkeit ist. Die Untersuchung des Mechanismus von Substratdefekten, die sich bis in die epi...Mehr lesen -
Technologie für oxidiertes stehendes Korn und epitaktisches Wachstum-Ⅱ
3. Epitaktisches Dünnschichtwachstum Das Substrat stellt eine physikalische Stützschicht oder leitende Schicht für Ga2O3-Leistungsgeräte dar. Die nächste wichtige Schicht ist die Kanalschicht oder Epitaxieschicht, die für Spannungsfestigkeit und Ladungsträgertransport dient. Um die Durchbruchspannung zu erhöhen und die Leitfähigkeit zu minimieren...Mehr lesen -
Galliumoxid-Einkristall- und epitaktische Wachstumstechnologie
Halbleiter mit großer Bandlücke (WBG), repräsentiert durch Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), haben große Aufmerksamkeit erregt. Die Menschen haben hohe Erwartungen an die Anwendungsaussichten von Siliziumkarbid in Elektrofahrzeugen und Stromnetzen sowie an die Anwendungsaussichten von Gallium...Mehr lesen
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