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Anwendung von Siliziumkarbidkeramik im Halbleiterbereich
vom Administrator am 24.10.10
Das bevorzugte Material für Präzisionsteile von Fotolithografiemaschinen. Im Halbleiterbereich werden Siliziumkarbid-Keramikmaterialien hauptsächlich in Schlüsselgeräten für die Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet, wie z. B. Siliziumkarbid-Arbeitstische, Führungsschienen, Reflektoren, Keramik-Saugfutter, Arme, ...
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0Was sind die sechs Systeme eines Einkristallofens?
von Admin am 24.09.23
Ein Einkristallofen ist ein Gerät, das eine Graphitheizung zum Schmelzen polykristalliner Siliziummaterialien in einer Inertgasumgebung (Argon) verwendet und die Czochralski-Methode zum Züchten nicht dislozierter Einkristalle verwendet. Es besteht hauptsächlich aus den folgenden Systemen: Mechanisch...
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Warum brauchen wir Graphit im thermischen Bereich von Einkristallöfen?
von Admin am 24.09.23
Das thermische System des vertikalen Einkristallofens wird auch als thermisches Feld bezeichnet. Die Funktion des Graphit-Wärmefeldsystems bezieht sich auf das gesamte System zum Schmelzen von Siliziummaterialien und zum Halten des Einkristallwachstums auf einer bestimmten Temperatur. Einfach gesagt, es ist ein kompletter Gr...
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Verschiedene Arten von Prozessen zum Schneiden von Leistungshalbleiterwafern
von Admin am 24.09.20
Das Waferschneiden ist eines der wichtigen Glieder in der Leistungshalbleiterproduktion. Dieser Schritt dient dazu, einzelne integrierte Schaltkreise oder Chips präzise von Halbleiterwafern zu trennen. Der Schlüssel zum Waferschneiden liegt darin, einzelne Chips trennen zu können und gleichzeitig sicherzustellen, dass die empfindliche Struktur...
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BCD-Prozess
von Admin am 24.09.18
Was ist der BCD-Prozess? Der BCD-Prozess ist eine integrierte Einzelchip-Prozesstechnologie, die erstmals 1986 von ST eingeführt wurde. Mit dieser Technologie können bipolare, CMOS- und DMOS-Geräte auf demselben Chip hergestellt werden. Sein Aussehen reduziert die Fläche des Chips erheblich. Man kann sagen, dass der BCD-Prozess die ... vollständig ausnutzt.
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BJT, CMOS, DMOS und andere Halbleiterprozesstechnologien
vom Administrator am 24.09.10
Willkommen auf unserer Website für Produktinformationen und Beratung. Unsere Website: https://www.vet-china.com/ Da Halbleiterherstellungsprozesse weiterhin bahnbrechende Fortschritte erzielen, kursiert in der Branche eine berühmte Aussage namens „Moores Gesetz“. Es war p...
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Halbleiterstrukturierungsprozess durch Fließätzen
vom Administrator am 24.09.10
Die frühe Nassätzung förderte die Entwicklung von Reinigungs- oder Veraschungsprozessen. Heutzutage ist das Trockenätzen mit Plasma das gängige Ätzverfahren. Plasma besteht aus Elektronen, Kationen und Radikalen. Die dem Plasma zugeführte Energie bewirkt, dass die äußersten Elektronen des Plasmas entstehen.
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Forschung zum 8-Zoll-SiC-Epitaxieofen und Homoepitaxieverfahren-Ⅱ
von Admin am 24.09.04
2 Experimentelle Ergebnisse und Diskussion 2.1 Dicke und Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht Dicke, Dotierungskonzentration und Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht sind einer der Kernindikatoren für die Beurteilung der Qualität epitaktischer Wafer. Präzise kontrollierbare Dicke, Dotierungsko...
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Forschung zum 8-Zoll-SiC-Epitaxieofen und Homoepitaxieverfahren-Ⅰ
von Admin am 24.09.04
Derzeit wandelt sich die SiC-Industrie von 150 mm (6 Zoll) auf 200 mm (8 Zoll). Um den dringenden Bedarf der Industrie an großen, hochwertigen SiC-Homöepitaxiewafern zu decken, wurden 150 mm und 200 mm große 4H-SiC-Homöepitaxiewafer erfolgreich auf dem Markt hergestellt.
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