Hersteller und Lieferant von Gussformen für hochmanganhaltigen Stahlguss aus China (Graphitblöcke)

Kurzbeschreibung:


Produktdetails

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Gemäß unserem Motto „Der Kunde steht an erster Stelle, höchste Qualität hat Priorität“ arbeiten wir eng mit unseren Kunden zusammen und stellen ihnen effiziente und qualifizierte Lieferanten für die Herstellung von Gussformen aus hochmanganhaltigem Stahl und Graphit zur Verfügung. Mit einer breiten Produktpalette, höchster Qualität, fairen Preisen und ansprechendem Design finden unsere Produkte in dieser und anderen Branchen breite Anwendung.
Unter Berücksichtigung des Grundsatzes „Der Kunde steht an erster Stelle, höchste Qualität hat Priorität“ arbeiten wir eng mit unseren Kunden zusammen und stellen ihnen effiziente und qualifizierte Dienstleister zur Verfügung.Gussform für Stahlwerke in China, Gusseisen-BlockformUnsere Unternehmensphilosophie: Der Kunde steht im Mittelpunkt, Qualität ist unser Lebenselixier. Integrität, Verantwortung, Fokus und Innovation prägen unsere Werte. Wir liefern qualifizierte Qualität und verdienen so das Vertrauen unserer Kunden. In Zusammenarbeit mit den meisten großen globalen Lieferanten arbeiten alle unsere Mitarbeiter Hand in Hand, um gemeinsam voranzukommen.

Produktbeschreibung

Kohlenstoff / Kohlenstoffverbundwerkstoffe(im Folgenden als „C / C oder FCKW“Es handelt sich um einen Verbundwerkstoff auf Kohlenstoffbasis, der durch Kohlenstofffasern und deren Produkte (Kohlenstofffaser-Preforms) verstärkt wird. Er vereint die Trägheit von Kohlenstoff mit der hohen Festigkeit von Kohlenstofffasern. Er zeichnet sich durch gute mechanische Eigenschaften, Hitzebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeit aus.

CVD-SiCDie Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Laugenbeständigkeit sowie Beständigkeit gegenüber organischen Reagenzien aus und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum Umweltverschmutzungen an peripheren Geräten und Vakuumkammern zur Folge hat und die Verunreinigungen in der hochreinen Umgebung erhöht.

Allerdings behält die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad. Sie findet breite Anwendung in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle, kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine schützende SiC-Schicht. Die gebildete SiC-Schicht ist fest mit dem Graphitsubstrat verbunden und verleiht diesem besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig sowie korrosions- und oxidationsbeständig.

 SiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-Suszeptoren

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SiC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cc)

3.21

Biegefestigkeit

(Mpa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

SiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-Suszeptoren

Unternehmensinformationen

111

Fabrikausrüstung

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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