Hersteller für China Carbon Graphite Mold zum Polieren von Beton

Kurzbeschreibung:


Produktdetails

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Unser Streben und unsere Unternehmensabsicht besteht in der Regel darin, „die Anforderungen unserer Käufer stets zu erfüllen“. Wir erwerben und entwerfen weiterhin hervorragende, qualitativ hochwertige Produkte sowohl für unsere bisherigen als auch für neue Kunden und realisieren eine Win-Win-Perspektive auch für unsere Kunden, da wir als Hersteller von China Carbon Graphite Mold für die Betonpolitur die kontinuierliche Verfügbarkeit hochwertiger Waren gewährleisten In Kombination mit unserem hervorragenden Pre- und After-Sales-Support sorgen wir für eine starke Wettbewerbsfähigkeit in einem zunehmend globalisierten Markt.
Unser Streben und unsere Unternehmensabsicht besteht in der Regel darin, „die Anforderungen unserer Käufer stets zu erfüllen“. Wir erwerben und entwerfen hochwertige Produkte sowohl für unsere alten als auch für neue Kunden und realisieren eine Win-Win-Situation für unsere Kunden und uns selbstFormen aus Kohlenstoffgraphit aus China, GraphitformenDer Name des Unternehmens betrachtet Qualität immer als Grundlage des Unternehmens, strebt nach Entwicklung durch ein hohes Maß an Glaubwürdigkeit, hält sich strikt an die ISO-Qualitätsmanagementnorm und schafft durch den Geist von Fortschritt kennzeichnender Ehrlichkeit und Optimismus ein erstklassiges Unternehmen.

Produktbeschreibung

Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe(im Folgenden bezeichnet als „C/C oder FCKW“) ist eine Art Verbundwerkstoff, der auf Kohlenstoff basiert und durch Kohlenstofffasern und dessen Produkte (Kohlenstofffaser-Vorformling) verstärkt wird. Es verfügt sowohl über die Trägheit von Kohlenstoff als auch über die hohe Festigkeit von Kohlenstofffasern. Es verfügt über gute mechanische Eigenschaften, Wärmebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeitseigenschaften

CVD-SiCDie Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Alkalibeständigkeit und organische Reagenzien mit stabilen physikalischen und chemischen Eigenschaften aus.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was zu einer Umweltverschmutzung von Peripheriegeräten und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

Allerdings kann die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad aufrechterhalten. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig verwendet.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern. Bildung einer SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden, was der Graphitbasis besondere Eigenschaften verleiht und so die Oberfläche des Graphits kompakt, porösitätsfrei, hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig macht.

 Verarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cc)

3.21

Biegefestigkeit

(MPa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

Verarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Unternehmensinformationen

111

Fabrikausrüstungen

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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