Siliziumkarbidbeschichteter Graphitsuszeptor für LED-Ätzung

Abbildung eines mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptors für die LED-Ätzung

Kurzbeschreibung:

Der Siliziumkarbid-Suszeptor für das LED-Ätzen (SiC-Tray) ist ein Spezialzubehör für das Tiefenätzen von Silizium (ICP-Ätzanlage). Er wird auch als Waferträger, Siliziumwaferträger oder Taschenwafer bezeichnet und findet breite Anwendung in der Halbleiter-CVD und im Vakuumsputtern.

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Produktdetails

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Siliziumkarbidbeschichteter Suszeptor ista SchlüsselBauteil, das in verschiedenen Halbleiterfertigungsprozessen verwendet wird.Wir nutzen unsere patentierte Technologie zur Herstellung des mit Siliziumkarbid beschichteten Suszeptors mitextrem hohe Reinheit,GutBeschichtungGleichmäßigkeitund eine ausgezeichnete Lebensdauer, sowiehohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

VET Energy ist Dieechter Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliciumcarbidprodukten mit CVD-Beschichtungkann liefernverschiedenKundenspezifische Bauteile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. OUnser technisches Team stammt von führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann daher professionellere Materiallösungen anbieten.für dich.

Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen.Undhaben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Verbindung zwischen Beschichtung und Substrat fester und weniger anfällig für Ablösung macht.

FEigenschaften unserer Produkte:

1. Hohe Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen bis zu 1700℃.
2. Hohe Reinheit undthermische Gleichmäßigkeit
3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und höhere Widerstandsfähigkeit

CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung
性质 / Eigentum	典型数值 / Typischer Wert
晶体结构 / Kristallstruktur	FCC β-Phase多晶, 主要为（111）取向
密度 / Dichte	3,21 g/cm³
硬度 / Härte	2500 U/min (500 g Ladung)
晶粒大小 / Korngröße	2–10 μm
纯度 Chemische Reinheit	99,99995 %
热容 / Wärmekapazität	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimationstemperatur	2700℃
抗弯强度 / Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Elastizitätsmodul	430 GPA 4pt Biegung, 1300℃
导热系数 / ThermelLeitfähigkeit	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10^-6K^-1