Gemäß unserer Philosophie „Qualität, Service, Leistung und Wachstum“ haben wir von in- und ausländischen Kunden das Vertrauen und Lob für unsere IOS-Zertifizierung in China (99,5 %) erhalten.Sic KeramikzielSiliziumkarbid-Sputtertarget für Beschichtungen. Unser Hauptziel ist es, unseren Kunden weltweit gute Qualität, wettbewerbsfähige Preise, zufriedenstellende Lieferung und exzellenten Service zu bieten.
Gemäß unserer Philosophie „Qualität, Service, Leistung und Wachstum“ haben wir das Vertrauen und Lob von in- und ausländischen Kunden erhalten.China Siliziumkarbid-Sputtertarget, Sic KeramikzielWir verfügen nun über ein strenges und umfassendes Qualitätskontrollsystem, das sicherstellt, dass jedes Produkt den Qualitätsanforderungen unserer Kunden entspricht. Darüber hinaus werden alle unsere Artikel vor dem Versand sorgfältig geprüft.
Kohlenstoff / Kohlenstoffverbundwerkstoffe(im Folgenden als „C / C oder FCKW“Es handelt sich um einen Verbundwerkstoff auf Kohlenstoffbasis, der durch Kohlenstofffasern und deren Produkte (Kohlenstofffaser-Preforms) verstärkt wird. Er vereint die Trägheit von Kohlenstoff mit der hohen Festigkeit von Kohlenstofffasern. Er zeichnet sich durch gute mechanische Eigenschaften, Hitzebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeit aus.
CVD-SiCDie Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Laugenbeständigkeit sowie Beständigkeit gegenüber organischen Reagenzien aus und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften.
Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum Umweltverschmutzungen an peripheren Geräten und Vakuumkammern zur Folge hat und die Verunreinigungen in der hochreinen Umgebung erhöht.
Allerdings behält die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad. Sie findet breite Anwendung in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie.
Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle, kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine schützende SiC-Schicht. Die gebildete SiC-Schicht ist fest mit dem Graphitsubstrat verbunden und verleiht diesem besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig sowie korrosions- und oxidationsbeständig.
Hauptmerkmale:
1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:
Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.
2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
4. Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.
Hauptspezifikationen von CVD-SiC-Beschichtungen:
| SiC-CVD | ||
| Dichte | (g/cc)
| 3.21 |
| Biegefestigkeit | (Mpa)
| 470 |
| Wärmeausdehnung | (10-6/K) | 4
|
| Wärmeleitfähigkeit | (W/mK) | 300
|
