Heiße neue Produkte: Plasmaverstärkter CVD-Röhrenofen zur Abscheidung hochwertiger Hartfilme

Kurzbeschreibung:


Produktdetails

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Das Ziel unseres Unternehmens besteht darin, die Zufriedenheit unserer Kunden zu erreichen. Wir werden großartige Initiativen ergreifen, um neue und qualitativ hochwertige Lösungen zu erwerben, Ihre exklusiven Spezifikationen zu erfüllen und Ihnen Vorverkaufs-, Verkaufs- und Kundendienstanbieter für heiße neue Produkte zu bieten. Plasmaverstärkter CVD-Rohrofen für die Abscheidung von Hoch- Hochwertige Hartfilme. Wir freuen uns über Ihre Anfrage und bieten Ihnen mit ganzem Herzen den besten Service.
Das Ziel unseres Unternehmens besteht darin, die Zufriedenheit unserer Kunden zu erreichen. Wir werden großartige Initiativen ergreifen, um neue und qualitativ hochwertige Lösungen zu erwerben, Ihre individuellen Anforderungen zu erfüllen und Ihnen Vor-, Vor- und Nachverkaufsdienste anzubietenChina CVD-Rohrofen und chemische Gasphasenabscheidung im CVD-Rohrofen, Auf dem zunehmend wettbewerbsintensiven Markt bieten wir unseren Kunden mit aufrichtigem Service, qualitativ hochwertigen Waren und unserem wohlverdienten Ruf stets Unterstützung bei Artikeln und Techniken, um eine langfristige Zusammenarbeit zu erreichen. Unser ewiges Streben ist es, von Qualität zu leben und uns durch Kredit weiterzuentwickeln. Wir sind fest davon überzeugt, dass wir nach Ihrem Besuch langfristige Partner werden.

Produktbeschreibung

Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe(im Folgenden bezeichnet als „C/C oder FCKW“) ist eine Art Verbundwerkstoff, der auf Kohlenstoff basiert und durch Kohlenstofffasern und dessen Produkte (Kohlenstofffaser-Vorformling) verstärkt wird. Es verfügt sowohl über die Trägheit von Kohlenstoff als auch über die hohe Festigkeit von Kohlenstofffasern. Es verfügt über gute mechanische Eigenschaften, Wärmebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeitseigenschaften

CVD-SiCDie Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Alkalibeständigkeit und organische Reagenzien mit stabilen physikalischen und chemischen Eigenschaften aus.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was zu einer Umweltverschmutzung von Peripheriegeräten und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

Allerdings kann die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad aufrechterhalten. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig verwendet.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern. Bildung einer SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden, was der Graphitbasis besondere Eigenschaften verleiht und so die Oberfläche des Graphits kompakt, porösitätsfrei, hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig macht.

 Verarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cc)

3.21

Biegefestigkeit

(MPa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

Verarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Unternehmensinformationen

111

Fabrikausrüstungen

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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