VET Energy verwendet ultrahohe ReinheitSiliziumkarbid (SiC)durch chemische Gasphasenabscheidung gebildet(CVD)als Ausgangsmaterial für den AnbauSiC-Kristalledurch physikalischen Dampftransport (PVT). Bei PVT wird das Ausgangsmaterial in einen geladenTiegelund auf einen Impfkristall sublimiert.
Zur Herstellung hoher Qualität ist eine hochreine Quelle erforderlichSiC-Kristalle.
VET Energy ist auf die Bereitstellung von großteiligem SiC für PVT spezialisiert, da es eine höhere Dichte aufweist als kleinteiliges Material, das durch Selbstentzündung von Si- und C-haltigen Gasen entsteht. Im Gegensatz zum Festphasensintern oder der Reaktion von Si und C ist kein spezieller Sinterofen oder ein zeitaufwändiger Sinterschritt in einem Wachstumsofen erforderlich. Dieses großteilige Material weist eine nahezu konstante Verdunstungsrate auf, was die Gleichmäßigkeit von Durchlauf zu Durchlauf verbessert.
Einführung:
1. CVD-SiC-Blockquelle vorbereiten: Zunächst müssen Sie eine hochwertige CVD-SiC-Blockquelle vorbereiten, die normalerweise von hoher Reinheit und hoher Dichte ist. Dies kann durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) unter geeigneten Reaktionsbedingungen hergestellt werden.
2. Substratvorbereitung: Wählen Sie ein geeignetes Substrat als Substrat für das SiC-Einkristallwachstum. Zu den häufig verwendeten Substratmaterialien gehören Siliziumkarbid, Siliziumnitrid usw., die gut zum wachsenden SiC-Einkristall passen.
3. Erhitzen und Sublimation: Legen Sie die CVD-SiC-Blockquelle und das Substrat in einen Hochtemperaturofen und sorgen Sie für geeignete Sublimationsbedingungen. Sublimation bedeutet, dass die Blockquelle bei hoher Temperatur direkt vom festen in den dampfförmigen Zustand übergeht und dann auf der Substratoberfläche erneut kondensiert, um einen Einkristall zu bilden.
4. Temperaturkontrolle: Während des Sublimationsprozesses müssen der Temperaturgradient und die Temperaturverteilung präzise kontrolliert werden, um die Sublimation der Blockquelle und das Wachstum von Einkristallen zu fördern. Durch eine geeignete Temperaturkontrolle können eine ideale Kristallqualität und Wachstumsrate erreicht werden.
5. Atmosphärenkontrolle: Während des Sublimationsprozesses muss auch die Reaktionsatmosphäre kontrolliert werden. Als Trägergas wird üblicherweise hochreines Inertgas (z. B. Argon) verwendet, um den entsprechenden Druck und die entsprechende Reinheit aufrechtzuerhalten und eine Kontamination durch Verunreinigungen zu verhindern.
6. Einkristallwachstum: Die CVD-SiC-Blockquelle durchläuft während des Sublimationsprozesses einen Dampfphasenübergang und kondensiert auf der Substratoberfläche erneut, um eine Einkristallstruktur zu bilden. Durch geeignete Sublimationsbedingungen und Temperaturgradientenkontrolle kann ein schnelles Wachstum von SiC-Einkristallen erreicht werden.
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