VET Energy verwendet ultrahochreine Energie.Siliciumcarbid (SiC)durch chemische Gasphasenabscheidung gebildet(CVD)als Ausgangsmaterial für den AnbauSiC-Kristalledurch physikalischen Dampftransport (PVT). Beim PVT wird das Ausgangsmaterial in einen Behälter geladen.Tiegelund sublimierte auf einen Impfkristall.
Für die Herstellung hochwertiger Produkte wird eine hochreine Ausgangsquelle benötigt.SiC-Kristalle.
VET Energy ist auf die Bereitstellung von großpartikeligem SiC für die PVT-Technologie spezialisiert, da dieses Material eine höhere Dichte aufweist als kleinpartikeliges Material, das durch Selbstentzündung von Si- und C-haltigen Gasen entsteht. Im Gegensatz zum Festphasensintern oder der Reaktion von Si und C benötigt es weder einen speziellen Sinterofen noch einen zeitaufwändigen Sinterprozess in einem Wachstumsofen. Dieses großpartikelige Material zeichnet sich durch eine nahezu konstante Verdampfungsrate aus, was die Gleichmäßigkeit der Ergebnisse von Charge zu Charge verbessert.
Einführung:
1. CVD-SiC-Blockquelle herstellen: Zunächst benötigen Sie eine hochwertige CVD-SiC-Blockquelle, die sich üblicherweise durch hohe Reinheit und hohe Dichte auszeichnet. Diese kann mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) unter geeigneten Reaktionsbedingungen hergestellt werden.
2. Substratvorbereitung: Wählen Sie ein geeignetes Substrat für das Wachstum von SiC-Einkristallen. Häufig verwendete Substratmaterialien sind beispielsweise Siliciumcarbid und Siliciumnitrid, die gut mit dem wachsenden SiC-Einkristall harmonieren.
3. Erhitzen und Sublimation: Die CVD-SiC-Blockquelle und das Substrat werden in einen Hochtemperaturofen gegeben und geeignete Sublimationsbedingungen geschaffen. Sublimation bedeutet, dass die Blockquelle bei hoher Temperatur direkt vom festen in den gasförmigen Zustand übergeht und anschließend auf der Substratoberfläche wieder kondensiert, um einen Einkristall zu bilden.
4. Temperaturkontrolle: Während des Sublimationsprozesses müssen Temperaturgradient und Temperaturverteilung präzise gesteuert werden, um die Sublimation des Blockmaterials und das Wachstum von Einkristallen zu fördern. Durch eine geeignete Temperaturkontrolle lassen sich optimale Kristallqualität und Wachstumsrate erzielen.
5. Atmosphärenkontrolle: Während des Sublimationsprozesses muss auch die Reaktionsatmosphäre kontrolliert werden. Hochreines Inertgas (wie z. B. Argon) wird üblicherweise als Trägergas verwendet, um den erforderlichen Druck und die Reinheit aufrechtzuerhalten und Verunreinigungen zu vermeiden.
6. Einkristallwachstum: Die CVD-SiC-Blockquelle durchläuft während der Sublimation einen Phasenübergang in der Gasphase und kondensiert auf der Substratoberfläche zu einer Einkristallstruktur. Durch geeignete Sublimationsbedingungen und Temperaturgradientenkontrolle lässt sich ein schnelles Wachstum von SiC-Einkristallen erzielen.
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