Silikon-Kohlenstoffelektroden-Graphitstab, Silikonkarbidstab

Kurzbeschreibung:


Produktdetails

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Unser Unternehmen besteht seit jeher auf der Qualitätspolitik: „Produktqualität ist die Grundlage für das Überleben des Unternehmens; Das Vergnügen des Käufers wird der Ausgangspunkt und das Ende eines Unternehmens sein. Ständige Verbesserung ist ewiges Streben nach Mitarbeitern“ und das konsequente Ziel „Ruf an erster Stelle, Käufer zuerst“ für die Fabrik, die China Electro Graphite Block direkt beliefert. Die Mitarbeiter unseres Unternehmens liefern unter Einsatz modernster Technologien einwandfreie, hervorragende Lösungen, die äußerst beliebt sind und von unseren Kunden weltweit geschätzt.
Unser Unternehmen besteht seit jeher auf der Qualitätspolitik: „Produktqualität ist die Grundlage für das Überleben des Unternehmens; Das Vergnügen des Käufers wird der Ausgangspunkt und das Ende eines Unternehmens sein. Ständige Verbesserung ist ewiges Streben nach Personal“ und das konsequente Ziel „Ruf an erster Stelle, Käufer zuerst“ fürKohlenstoffblock, China-Graphitblock, Unsere Mitarbeiter folgen dem Geist der „integrierten und interaktiven Entwicklung“ und dem Grundsatz „Erstklassige Qualität mit exzellentem Service“. Entsprechend den Bedürfnissen jedes Kunden bieten wir maßgeschneiderte und personalisierte Dienstleistungen an, um Kunden dabei zu helfen, ihre Ziele erfolgreich zu erreichen. Willkommen bei Kunden aus dem In- und Ausland zum Anrufen und Erkundigen!

Produktbeschreibung

Kohlenstoff/Kohlenstoff-Verbundwerkstoffe(im Folgenden bezeichnet als „C/C oder FCKW“) ist eine Art Verbundwerkstoff, der auf Kohlenstoff basiert und durch Kohlenstofffasern und dessen Produkte (Kohlenstofffaser-Vorformling) verstärkt wird. Es verfügt sowohl über die Trägheit von Kohlenstoff als auch über die hohe Festigkeit von Kohlenstofffasern. Es verfügt über gute mechanische Eigenschaften, Wärmebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeitseigenschaften

CVD-SiCDie Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Alkalibeständigkeit und organische Reagenzien mit stabilen physikalischen und chemischen Eigenschaften aus.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was zu einer Umweltverschmutzung von Peripheriegeräten und Vakuumkammern führt und die Verunreinigungen der hochreinen Umgebung erhöht.

Allerdings kann die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad aufrechterhalten. Sie wird in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie, häufig verwendet.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Methode auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien an, sodass spezielle Gase, die Kohlenstoff und Silizium enthalten, bei hoher Temperatur reagieren, um hochreine SiC-Moleküle zu erhalten, die sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ablagern. Bildung einer SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden, was der Graphitbasis besondere Eigenschaften verleiht und so die Oberfläche des Graphits kompakt, porösitätsfrei, hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig macht.

 Verarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SIC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cc)

3.21

Biegefestigkeit

(MPa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

Verarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit GraphitoberflächeVerarbeitung von SiC-Beschichtungen auf MOCVD-Suszeptoren mit Graphitoberfläche

Unternehmensinformationen

111

Fabrikausrüstungen

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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