Siliziumkarbid-Elektrode, Graphitstab, Siliziumkarbidstab

Kurzbeschreibung:


Produktdetails

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Unser Unternehmen verfolgt konsequent die Qualitätspolitik, dass „höchste Produktqualität die Grundlage des Unternehmensüberlebens ist; Kundenzufriedenheit der Ausgangspunkt und das Ziel eines Unternehmens ist; ständige Verbesserung das ständige Bestreben der Mitarbeiter“ sowie das konsequente Ziel „Reputation zuerst, Kunde zuerst“ für die Direktlieferung von Elektrographitblöcken aus China. Die Mitarbeiter unseres Unternehmens liefern mithilfe modernster Technologien einwandfreie Lösungen, die von unseren Kunden weltweit hoch geschätzt und anerkannt werden.
Unser Unternehmen beharrt konsequent auf der Qualitätspolitik: „Höchste Produktqualität ist die Grundlage des Unternehmensüberlebens; Kundenzufriedenheit ist Ausgangspunkt und Ziel eines Unternehmens; ständige Verbesserung ist das ständige Bestreben der Mitarbeiter“ sowie auf dem beständigen Ziel: „Reputation zuerst, Kunde zuerst“.Carbonblock, China GraphitblockUnsere Mitarbeiter leben nach dem Prinzip der „Integrität und interaktiven Entwicklung“ und dem Grundsatz „Erstklassige Qualität und exzellenter Service“. Wir bieten maßgeschneiderte und personalisierte Dienstleistungen, die auf die Bedürfnisse jedes einzelnen Kunden zugeschnitten sind und ihn beim Erreichen seiner Ziele unterstützen. Wir freuen uns auf Ihre Anfrage!

Produktbeschreibung

Kohlenstoff / Kohlenstoffverbundwerkstoffe(im Folgenden als „C / C oder FCKW“Es handelt sich um einen Verbundwerkstoff auf Kohlenstoffbasis, der durch Kohlenstofffasern und deren Produkte (Kohlenstofffaser-Preforms) verstärkt wird. Er vereint die Trägheit von Kohlenstoff mit der hohen Festigkeit von Kohlenstofffasern. Er zeichnet sich durch gute mechanische Eigenschaften, Hitzebeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Reibungsdämpfung sowie thermische und elektrische Leitfähigkeit aus.

CVD-SiCDie Beschichtung zeichnet sich durch eine gleichmäßige Struktur, ein kompaktes Material, hohe Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit, hohe Reinheit, Säure- und Laugenbeständigkeit sowie Beständigkeit gegenüber organischen Reagenzien aus und verfügt über stabile physikalische und chemische Eigenschaften.

Im Vergleich zu hochreinen Graphitmaterialien beginnt Graphit bei 400 °C zu oxidieren, was zu einem Pulververlust durch Oxidation führt, was wiederum Umweltverschmutzungen an peripheren Geräten und Vakuumkammern zur Folge hat und die Verunreinigungen in der hochreinen Umgebung erhöht.

Allerdings behält die SiC-Beschichtung ihre physikalische und chemische Stabilität bei 1600 Grad. Sie findet breite Anwendung in der modernen Industrie, insbesondere in der Halbleiterindustrie.

Unser Unternehmen bietet SiC-Beschichtungsverfahren mittels CVD-Verfahren auf Graphit, Keramik und anderen Materialien an. Dabei reagieren spezielle, kohlenstoff- und siliziumhaltige Gase bei hoher Temperatur zu hochreinen SiC-Molekülen. Diese Moleküle lagern sich auf der Oberfläche der beschichteten Materialien ab und bilden eine schützende SiC-Schicht. Die gebildete SiC-Schicht ist fest mit dem Graphitsubstrat verbunden und verleiht diesem besondere Eigenschaften. Dadurch wird die Graphitoberfläche kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig sowie korrosions- und oxidationsbeständig.

 SiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-Suszeptoren

Hauptmerkmale:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen:

Die Oxidationsbeständigkeit ist auch bei Temperaturen von bis zu 1600 °C noch sehr gut.

2. Hohe Reinheit: hergestellt durch chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

3. Erosionsbeständigkeit: hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.

4. Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.

 

Hauptspezifikationen von CVD-SiC-Beschichtungen:

SiC-CVD

Dichte

(g/cc)

3.21

Biegefestigkeit

(Mpa)

470

Wärmeausdehnung

(10-6/K)

4

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300

Detaillierte Bilder

SiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-SuszeptorenSiC-Beschichtungsverfahren auf Graphitoberflächen-MOCVD-Suszeptoren

Unternehmensinformationen

111

Fabrikausrüstung

222

Lager

333

Zertifizierungen

Zertifizierungen22

 


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