8 tommer P Type Silicon Wafer fra VET Energy er en højtydende siliciumwafer designet til en bred vifte af halvlederapplikationer, herunder solceller, MEMS-enheder og integrerede kredsløb. Kendt for sin fremragende elektriske ledningsevne og ensartede ydeevne, er denne wafer det foretrukne valg for producenter, der ønsker at producere pålidelige og effektive elektroniske komponenter. VET Energy sikrer præcise dopingniveauer og en overfladefinish af høj kvalitet for optimal enhedsfremstilling.
Disse 8 tommer P Type Silicium Wafers er fuldt kompatible med forskellige materialer som SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate og er velegnede til Epi Wafer-vækst, hvilket sikrer alsidighed til avancerede halvlederfremstillingsprocesser. Vaflerne kan også bruges sammen med andre højteknologiske materialer som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer, hvilket gør dem ideelle til næste generations elektroniske applikationer. Deres robuste design passer også problemfrit ind i kassettebaserede systemer, hvilket sikrer effektiv og højvolumen produktionshåndtering.
VET Energy giver kunderne skræddersyede waferløsninger. Vi kan tilpasse wafers med forskellig resistivitet, iltindhold, tykkelse osv. efter kundernes specifikke behov. Derudover yder vi også professionel teknisk support og eftersalgsservice for at hjælpe kunder med at løse forskellige problemer, der opstår under produktionsprocessen.
WAFERING SPECIFIKATIONER
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=semi-isolerende
Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-absolut værdi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Affasning |
OVERFLADE AFSLUTNING
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=semi-isolerende
Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Overfladefinish | Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP | ||||
Overfladeruhed | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tilladt (længde og bredde≥0,5 mm) | ||||
Indrykninger | Ingen tilladt | ||||
Ridser (Si-Face) | Antal.≤5, kumulativ | Antal.≤5, kumulativ | Antal.≤5, kumulativ | ||
Revner | Ingen tilladt | ||||
Kantudelukkelse | 3 mm |