VET Energy 12-tommer SOI-wafer er et højtydende halvleder-substratmateriale, som er stærkt begunstiget for dets fremragende elektriske egenskaber og unikke struktur. VET Energy bruger avancerede SOI-wafer-fremstillingsprocesser for at sikre, at waferen har ekstremt lav lækstrøm, høj hastighed og strålingsmodstand, hvilket giver et solidt grundlag for dine højtydende integrerede kredsløb.
VET Energy's produktlinje er ikke begrænset til SOI-wafere. Vi leverer også en bred vifte af halvledersubstratmaterialer, herunder Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., samt nye wide bandgap halvledermaterialer såsom Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer. Disse produkter kan opfylde applikationsbehovene hos forskellige kunder inden for kraftelektronik, RF, sensorer og andre områder.
Med fokus på ekspertise bruger vores SOI-wafere også avancerede materialer såsom galliumoxid Ga2O3, kassetter og AlN-wafere for at sikre pålidelighed og effektivitet på alle operationelle niveauer. Stol på VET Energy for at levere banebrydende løsninger, der baner vejen for teknologiske fremskridt.
Slip potentialet i dit projekt løs med den overlegne ydeevne fra VET Energy 12-tommer SOI-wafere. Boost dine innovationsevner med wafere, der repræsenterer kvalitet, præcision og innovation, der lægger grundlaget for succes inden for det dynamiske område af halvlederteknologi. Vælg VET Energy for premium SOI wafer-løsninger, der overgår forventningerne.
WAFERING SPECIFIKATIONER
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=semi-isolerende
Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-absolut værdi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Affasning |
OVERFLADE AFSLUTNING
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=semi-isolerende
Punkt | 8-tommer | 6-tommer | 4-tommer | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Overfladefinish | Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP | ||||
Overfladeruhed | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tilladt (længde og bredde≥0,5 mm) | ||||
Indrykninger | Ingen tilladt | ||||
Ridser (Si-Face) | Antal.≤5, kumulativ | Antal.≤5, kumulativ | Antal.≤5, kumulativ | ||
Revner | Ingen tilladt | ||||
Kantudelukkelse | 3 mm |