8-инчовата силиконова пластина тип P от VET Energy е високоефективна силиконова пластина, предназначена за широк спектър от полупроводникови приложения, включително слънчеви клетки, MEMS устройства и интегрални схеми. Известна със своята отлична електропроводимост и постоянна производителност, тази пластина е предпочитаният избор за производителите, които искат да произвеждат надеждни и ефективни електронни компоненти. VET Energy осигурява прецизни нива на допинг и висококачествено покритие на повърхността за оптимално производство на устройства.
Тези 8-инчови силициеви пластини тип P са напълно съвместими с различни материали като SiC субстрат, SOI вафла, SiN субстрат и са подходящи за растеж на Epi вафли, осигурявайки гъвкавост за усъвършенствани процеси за производство на полупроводници. Пластините могат да се използват и заедно с други високотехнологични материали като галиев оксид Ga2O3 и AlN пластини, което ги прави идеални за електронни приложения от следващо поколение. Техният здрав дизайн също се вписва безпроблемно в системи, базирани на касети, осигурявайки ефикасно и високообемно производство.
VET Energy предоставя на клиентите персонализирани решения за вафли. Можем да персонализираме пластини с различно съпротивление, съдържание на кислород, дебелина и т.н. според специфичните нужди на клиента. В допълнение, ние също така предоставяме професионална техническа поддръжка и следпродажбено обслужване, за да помогнем на клиентите да решат различни проблеми, възникнали по време на производствения процес.
СПЕЦИФИКАЦИИ НА ВАФЛИТЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Лък (GF3YFCD)-Абсолютна стойност | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Изкривяване (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Скосяване |
ПОВЪРХНОСТНО ЗАВЪРШВАНЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Повърхностно покритие | Двустранно оптично полиране, Si-Face CMP | ||||
Грапавост на повърхността | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайни чипове | Няма разрешено (дължина и ширина≥0,5 mm) | ||||
Отстъпи | Няма разрешено | ||||
Драскотини (Si-Face) | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | ||
Пукнатини | Няма разрешено | ||||
Изключване на ръба | 3 мм |