VET Energy 12-инчова SOI пластина е високоефективен полупроводников субстратен материал, който е силно предпочитан заради своите отлични електрически свойства и уникална структура. VET Energy използва усъвършенствани процеси за производство на пластини SOI, за да гарантира, че пластините имат изключително нисък ток на утечка, висока скорост и устойчивост на радиация, осигурявайки солидна основа за вашите високоефективни интегрални схеми.
Продуктовата линия на VET Energy не се ограничава до SOI вафли. Ние също така предоставяме широка гама от полупроводникови субстратни материали, включително Si Wafer, SiC субстрат, SiN субстрат, Epi Wafer и т.н., както и нови широколентови полупроводникови материали като Gallium Oxide Ga2O3 и AlN Wafer. Тези продукти могат да отговорят на нуждите от приложения на различни клиенти в силова електроника, радиочестоти, сензори и други области.
Фокусирайки се върху съвършенството, нашите SOI пластини също използват модерни материали като галиев оксид Ga2O3, касети и AlN пластини, за да осигурят надеждност и ефективност на всяко работно ниво. Доверете се на VET Energy за предоставяне на авангардни решения, които проправят пътя за технологичен напредък.
Разгърнете потенциала на вашия проект с превъзходната производителност на VET Energy 12-инчови SOI пластини. Увеличете възможностите си за иновации с пластини, които въплъщават качество, прецизност и иновация, полагайки основата за успех в динамичната област на полупроводниковата технология. Изберете VET Energy за първокласни решения за вафли SOI, които надхвърлят очакванията.
СПЕЦИФИКАЦИИ НА ВАФЛИТЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Лък (GF3YFCD)-Абсолютна стойност | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Изкривяване (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Скосяване |
ПОВЪРХНОСТНО ЗАВЪРШВАНЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Повърхностно покритие | Двустранно оптично полиране, Si-Face CMP | ||||
Грапавост на повърхността | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайни чипове | Няма разрешено (дължина и ширина≥0,5 mm) | ||||
Отстъпи | Няма разрешено | ||||
Драскотини (Si-Face) | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | ||
Пукнатини | Няма разрешено | ||||
Изключване на ръба | 3 мм |