4-инчовата GaAs пластина от VET Energy е основен материал за високоскоростни и оптоелектронни устройства, включително радиочестотни усилватели, светодиоди и слънчеви клетки. Тези пластини са известни със своята висока мобилност на електрони и способност да работят при по-високи честоти, което ги прави ключов компонент в модерните полупроводникови приложения. VET Energy осигурява висококачествени GaAs пластини с еднаква дебелина и минимални дефекти, подходящи за набор от взискателни производствени процеси.
Тези 4-инчови пластини GaAs са съвместими с различни полупроводникови материали като Si Wafer, SiC субстрат, SOI Wafer и SiN субстрат, което ги прави универсални за интегриране в различни архитектури на устройства. Независимо дали се използват за производство на Epi Wafer или заедно с авангардни материали като Gallium Oxide Ga2O3 и AlN Wafer, те предлагат надеждна основа за електроника от следващо поколение. В допълнение, пластините са напълно съвместими с базирани на касети системи за манипулиране, осигурявайки плавни операции както в изследователски, така и в производствени среди с голям обем.
VET Energy предлага цялостно портфолио от полупроводникови субстрати, включително Si Wafer, SiC субстрат, SOI Wafer, SiN субстрат, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 и AlN Wafer. Нашата разнообразна продуктова линия отговаря на нуждите на различни електронни приложения, от силова електроника до RF и оптоелектроника.
VET Energy предлага персонализирани GaAs пластини, за да отговори на вашите специфични изисквания, включително различни нива на допинг, ориентации и повърхностни покрития. Нашият експертен екип осигурява техническа поддръжка и следпродажбено обслужване, за да гарантира вашия успех.
СПЕЦИФИКАЦИИ НА ВАФЛИТЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Лък (GF3YFCD)-Абсолютна стойност | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Изкривяване (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Скосяване |
ПОВЪРХНОСТНО ЗАВЪРШВАНЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Повърхностно покритие | Двустранно оптично полиране, Si-Face CMP | ||||
Грапавост на повърхността | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайни чипове | Няма разрешено (дължина и ширина≥0,5 mm) | ||||
Отстъпи | Няма разрешено | ||||
Драскотини (Si-Face) | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | ||
Пукнатини | Няма разрешено | ||||
Изключване на ръба | 3 мм |