6-инчовата полуизолираща SiC пластина от VET Energy е усъвършенствано решение за приложения с висока мощност и висока честота, предлагащо превъзходна топлопроводимост и електрическа изолация. Тези полуизолационни пластини са от съществено значение при разработването на устройства като радиочестотни усилватели, превключватели за захранване и други компоненти с високо напрежение. VET Energy гарантира постоянно качество и производителност, което прави тези пластини идеални за широк спектър от процеси за производство на полупроводници.
В допълнение към своите изключителни изолационни свойства, тези SiC пластини са съвместими с различни материали, включително SiC пластини, SiC субстрат, SOI пластини, SiN субстрат и Epi пластини, което ги прави универсални за различни видове производствени процеси. Освен това, усъвършенствани материали като галиев оксид Ga2O3 и AlN Wafer могат да се използват в комбинация с тези SiC пластини, осигурявайки още по-голяма гъвкавост в електронни устройства с висока мощност. Вафлите са проектирани за безпроблемна интеграция със стандартни за индустрията системи за обработка, като касетъчни системи, осигуряващи лесна употреба в настройки за масово производство.
VET Energy предлага цялостно портфолио от полупроводникови субстрати, включително Si Wafer, SiC субстрат, SOI Wafer, SiN субстрат, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 и AlN Wafer. Нашата разнообразна продуктова линия отговаря на нуждите на различни електронни приложения, от силова електроника до RF и оптоелектроника.
6-инчовата полуизолирана SiC пластина предлага няколко предимства:
Високо напрежение на пробив: Широката ширина на обхвата на SiC позволява по-високи напрежения на пробив, което позволява по-компактни и ефективни захранващи устройства.
Работа при висока температура: Отличната топлопроводимост на SiC позволява работа при по-високи температури, подобрявайки надеждността на устройството.
Ниско съпротивление при включване: SiC устройствата показват по-ниско съпротивление при включване, намалявайки загубите на мощност и подобрявайки енергийната ефективност.
VET Energy предлага персонализирани пластини SiC, за да отговори на вашите специфични изисквания, включително различни дебелини, нива на допинг и повърхностни покрития. Нашият експертен екип осигурява техническа поддръжка и следпродажбено обслужване, за да гарантира вашия успех.
СПЕЦИФИКАЦИИ НА ВАФЛИТЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Лък (GF3YFCD)-Абсолютна стойност | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Изкривяване (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Скосяване |
ПОВЪРХНОСТНО ЗАВЪРШВАНЕ
*n-Pm=n-тип Pm-клас,n-Ps=n-тип Ps-клас,Sl=полуизолиращ
Артикул | 8-инчов | 6-инчов | 4-инчов | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Повърхностно покритие | Двустранно оптично полиране, Si-Face CMP | ||||
Грапавост на повърхността | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
Крайни чипове | Няма разрешено (дължина и ширина≥0,5 mm) | ||||
Отстъпи | Няма разрешено | ||||
Драскотини (Si-Face) | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | Кол.≤5, Кумулативно | ||
Пукнатини | Няма разрешено | ||||
Изключване на ръба | 3 мм |