Яңалыклар

Махсус графит төрләре
администратор тарафыннан 24-06-17
Махсус графит - югары чисталык, югары тыгызлык һәм югары көчле графит материал һәм коррозиягә каршы тору, югары температураның тотрыклылыгы һәм зур электр үткәрүчәнлеге. Highгары температураны җылыту һәм югары басым эшкәртүдән соң ул табигый яки ясалма графиттан ясалган ...
Күбрәк укыгыз
Нечкә пленка чүпләү җиһазларына анализ - PECVD / LPCVD / ALD җиһазларының принциплары һәм кулланылышы
администратор тарафыннан 24-06-12
Нечкә пленка ярымүткәргечнең төп субстрат материалына пленка катламы каплау. Бу фильм төрле материаллардан ясалырга мөмкин, мәсәлән, кремний диоксиды, ярымүткәргеч полисиликон, металл бакыр һ.б. изоляцияләү өчен.
Күбрәк укыгыз
Монокристалл кремний үсешенең сыйфатын билгеләүче мөһим материаллар - җылылык кыры
администратор тарафыннан 24-06-12
Монокристалл кремнийның үсеш процессы тулысынча җылылык кырында алып барыла. Яхшы җылылык кыры кристаллларның сыйфатын яхшырту өчен ярдәм итә һәм кристалллаштыруның югары эффективлыгына ия. Rылылык кырының дизайны температура градиентларының үзгәрүен күпчелекне билгели ...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбид кристалл үсеш миченең техник кыенлыклары нинди?
администратор тарафыннан 24-06-07
Кристалл үсеш миче кремний карбид кристалл үсеше өчен төп җиһаз. Ул традицион кристалл кремний класслы кристалл үсеш миченә охшаган. Мич структурасы бик катлаулы түгел. Ул, нигездә, мич тәненнән, җылыту системасыннан, кәтүк тапшыру механизмыннан тора ...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбид эпитаксиаль катламының кимчелекләре нинди
администратор тарафыннан 24-06-05
SiC эпитаксиаль материаллар үсеше өчен төп технология, беренче чиратта, җитешсезлекләрне контрольдә тоту технологиясе, аеруча җайланманың ватылуына яки ышанычлылыгы бозылуга мохтаҗ булган кимчелекләрне контрольдә тоту технологиясе өчен. Эпига таралган субстрат җитешсезлекләр механизмын өйрәнү ...
Күбрәк укыгыз
Оксидланган басып торган ашлык һәм эпитаксиаль үсеш технологиясе-Ⅱ
администратор тарафыннан 24-05-30
2. Эпитаксиаль нечкә пленка үсеше Субстрат Ga2O3 электр җайланмалары өчен физик ярдәм катламы яки үткәргеч катлам бирә. Киләсе мөһим катлам - канал катламы яки көчәнешкә каршы тору һәм ташучы транспорт өчен кулланылган эпитаксиаль катлам. Ватылу көчәнешен арттыру һәм минимумны киметү өчен ...
Күбрәк укыгыз
Галлий оксиды бер кристалл һәм эпитаксиаль үсеш технологиясе
администратор тарафыннан 24-05-30
Кремний карбид (SiC) һәм галий нитриды (GaN) белән күрсәтелгән киң тасма (WBG) ярымүткәргечләр киң игътибарга лаек. Кешеләр электр машиналарында һәм электр челтәрләрендә кремний карбидын куллану перспективаларына, шулай ук галий куллану перспективаларына зур өметләр баглыйлар ...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбидына техник киртәләр нинди? Ⅱ
администратор тарафыннан 24-05-22
Тотрыклы масса җитештерә торган югары сыйфатлы кремний карбид ваферларында техник кыенлыклар түбәндәгеләрне үз эченә ала: 1) кристалллар 2000 ° C-тан югары температурада мөһерләнгән шартларда үсәргә тиеш, температураны контрольдә тоту таләпләре бик югары; 2) Кремний карбид булганлыктан ...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбидына техник киртәләр нинди?
администратор тарафыннан 24-05-22
Ярымүткәргеч материалларның беренче буыны традицион кремний (Si) һәм германий (Ge) белән күрсәтелә, алар интеграль челтәр җитештерү өчен нигез булып торалар. Алар аз көчәнешле, аз ешлыктагы һәм аз көчле транзисторларда һәм детекторларда киң кулланыла. Ярымүткәргеч продуктның 90% тан артыгы ...
Күбрәк укыгыз