Яңалыклар

Кремний карбид эпитаксиаль катламының кимчелекләре нинди
администратор тарафыннан 24-06-05
SiC эпитаксиаль материаллар үсеше өчен төп технология, беренче чиратта, җитешсезлекләрне контрольдә тоту технологиясе, аеруча җайланманың ватылуына яки ышанычлылыгы бозылуга мохтаҗ булган кимчелекләрне контрольдә тоту технологиясе өчен. Эпига таралган субстрат җитешсезлекләр механизмын өйрәнү ...
Күбрәк укыгыз
Оксидланган басып торган ашлык һәм эпитаксиаль үсеш технологиясе-Ⅱ
администратор тарафыннан 24-05-30
2. Эпитаксиаль нечкә пленка үсеше Субстрат Ga2O3 электр җайланмалары өчен физик ярдәм катламы яки үткәргеч катлам бирә. Киләсе мөһим катлам - канал катламы яки көчәнешкә каршы тору һәм ташучы транспорт өчен кулланылган эпитаксиаль катлам. Ватылу көчәнешен арттыру һәм минимумны киметү өчен ...
Күбрәк укыгыз
Галлий оксиды бер кристалл һәм эпитаксиаль үсеш технологиясе
администратор тарафыннан 24-05-30
Кремний карбид (SiC) һәм галий нитриды (GaN) белән күрсәтелгән киң тасма (WBG) ярымүткәргечләр киң игътибарга лаек. Кешеләр электр машиналарында һәм электр челтәрләрендә кремний карбидын куллану перспективаларына, шулай ук галий куллану перспективаларына зур өметләр баглыйлар ...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбидына техник киртәләр нинди? Ⅱ
администратор тарафыннан 24-05-22
Тотрыклы масса җитештерә торган югары сыйфатлы кремний карбид ваферларында техник кыенлыклар түбәндәгеләрне үз эченә ала: 1) кристалллар 2000 ° C-тан югары температурада мөһерләнгән шартларда үсәргә тиеш, температураны контрольдә тоту таләпләре бик югары; 2) Кремний карбид булганлыктан ...
Күбрәк укыгыз
Кремний карбидына техник киртәләр нинди?
администратор тарафыннан 24-05-22
Ярымүткәргеч материалларның беренче буыны традицион кремний (Si) һәм германий (Ge) белән күрсәтелә, алар интеграль челтәр җитештерү өчен нигез булып торалар. Алар аз көчәнешле, аз ешлыктагы һәм аз көчле транзисторларда һәм детекторларда киң кулланыла. Ярымүткәргеч продуктның 90% тан артыгы ...
Күбрәк укыгыз
SiC микро порошогы ничек ясалган?
администратор тарафыннан 24-05-13
SiC бер кристалл - группа IV-IV катнаш ярымүткәргеч материал, Si һәм C ике элементтан тора, стохиометрик нисбәттә 1: 1. Аның катылыгы бриллианттан соң икенче урында. SiC әзерләү өчен кремний оксиды ысулының углерод кимүе нигездә түбәндәге химик реакция формуласына нигезләнә ...
Күбрәк укыгыз
Эпитаксиаль катламнар ярымүткәргеч җайланмаларга ничек ярдәм итә?
администратор тарафыннан 24-05-13
Эпитаксиаль вафер исеменең килеп чыгышы Беренчедән, кечкенә төшенчәне популярлаштырыйк: вафер әзерләү ике төп сылтаманы үз эченә ала: субстрат әзерләү һәм эпитаксиаль процесс. Субстрат - ярымүткәргеч бер кристалл материалдан эшләнгән вафер. Субстрат вафер җитештерүгә турыдан-туры керә ала ...
Күбрәк укыгыз
Химик пар парламенты (CVD) нечкә пленка чүпләү технологиясе белән таныштыру
администратор тарафыннан 24-05-06
Химик парны чүпләү (CVD) - мөһим нечкә пленка туплау технологиясе, еш төрле функциональ фильмнар һәм нечкә катлам материаллар әзерләү өчен кулланыла, һәм ярымүткәргеч җитештерүдә һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла. 1. CVD эш принцибы CVD процессында газ прекурсоры (бер яки ...
Күбрәк укыгыз
Фотовольта ярымүткәргеч индустриясе артындагы "кара алтын" сере: изостатик графитка теләк һәм бәйләнеш
администратор тарафыннан 24-05-06
Изостатик графит фотовольта һәм ярымүткәргечләрдә бик мөһим материал. Эчке изостатик графит компанияләренең тиз үсүе белән, Кытайдагы чит ил компанияләренең монополиясе бозылды. Даими мөстәкыйль тикшеренүләр, үсеш һәм технологик казанышлар белән, ...
Күбрәк укыгыз