Кристалл үсеш миче - төп җиһазкремний карбидкристалл үсеше. Ул традицион кристалл кремний класслы кристалл үсеш миченә охшаган. Мич структурасы бик катлаулы түгел. Ул, нигездә, мич тәненнән, җылыту системасы, кәтүк тапшыру механизмы, вакуум алу һәм үлчәү системасы, газ юлы системасы, суыту системасы, контроль системасы һ.б. җылылык кыры һәм процесс шартлары төп күрсәткечләрен билгели.кремний карбид кристаллсыйфат, зурлык, үткәрүчәнлек һ.б.
Бер яктан, үсеш вакытында температуракремний карбид кристаллбик биек һәм моны күзәтеп булмый. Шуңа күрә төп кыенлык процессның үзендә. Төп кыенлыклар түбәндәгечә:
(1) rылылык кырын контрольдә тоту кыенлыгы: Ябык югары температуралы куышлыкны мониторинглау авыр һәм контрольсез. Традицион кремний нигезендәге эремәдән аермалы буларак, югары дәрәҗәдәге автоматлаштырылган һәм күзәтелә торган һәм контрольдә тотыла торган кристалл үсеш җиһазлары белән кремний карбид кристаллары ябык мәйданда 2000 above тан югары температурада үсә, һәм үсеш температурасы. җитештерү вакытында төгәл контрольдә тотылырга тиеш, бу температураны контрольдә тотуны кыенлаштыра;
) Микропиплар (MP) - берничә микрон зурлыктагы дистәләрчә микронлы типтагы кимчелекләр, алар җайланмаларның киллер җитешсезлекләре. Кремний карбид бер кристаллга 200 дән артык төрле кристалл формасы керә, ләкин җитештерү өчен кирәк булган ярымүткәргеч материаллар гына (4H тибы). Cryсеш процессында кристалл форманы үзгәртү җиңел, полиморфик кертү җитешсезлекләренә китерә. Шуңа күрә кремний-углерод коэффициенты, үсеш температурасы градиенты, кристалл үсеш темплары, һава агымы басымы кебек параметрларны төгәл контрольдә тотарга кирәк. Моннан тыш, кремний карбидының җылылык кырында температура градиенты бар, ул кристалл үсеш процессында туган эчке стресска һәм нәтиҗәдә булган дислокациягә китерә (базаль яссылыкның күчерелүе, TSD винтовкасы, TED кыры). киләсе эпитакси һәм приборларның сыйфатына һәм эшенә тәэсир итү.
(3) Допингның катлаулы контроле: юнәлешле допинг белән үткәргеч кристалл алу өчен тышкы пычраклар кертү катгый контрольдә тотылырга тиеш;
(4) Акрын үсеш темплары: Кремний карбидының үсеш темплары бик әкрен. Традицион кремний материалларына кристалл таяк булып үсү өчен 3 көн, ә кремний карбид кристалл чыбыкларына 7 көн кирәк. Бу кремний карбидының табигый түбән җитештерү эффективлыгына һәм бик чикләнгән җитештерүгә китерә.
Икенче яктан, кремний карбид эпитаксиаль үсеш параметрлары бик таләпчән, шул исәптән җиһазларның һава тыгызлыгы, реакция палатасында газ басымының тотрыклылыгы, газ кертү вакытын төгәл контрольдә тоту, газның төгәллеге. нисбәте, һәм чүп температурасын катгый идарә итү. Аерым алганда, җайланманың көчәнешкә каршы тору дәрәҗәсен күтәрү белән, эпитаксиаль вафинның төп параметрларын контрольдә тоту кыенлыгы сизелерлек артты. Моннан тыш, эпитаксиаль катлам калынлыгының артуы белән, каршылыкның бердәмлеген ничек контрольдә тотарга һәм калынлыкны тәэмин итүдә кимчелек тыгызлыгын киметергә тагын бер зур проблемага әйләнде. Электрлаштырылган контроль системасында төрле параметрларның төгәл һәм тотрыклы көйләнүен тәэмин итү өчен, югары төгәллек сенсорларын һәм актуаторларны берләштерергә кирәк. Шул ук вакытта контроль алгоритмын оптимизацияләү дә бик мөһим. Ул кремний карбид эпитаксиаль үсеш процессындагы төрле үзгәрешләргә җайлашу өчен кире сигнал буенча реаль вакытта контроль стратегиясен көйли белергә тиеш.
Төп кыенлыкларкремний карбид субстратҗитештерү:
Пост вакыты: июнь-07-2024