Нечкә пленка ярымүткәргечнең төп субстрат материалына пленка катламы каплау. Бу фильм төрле материаллардан ясалырга мөмкин, мәсәлән, кремний диоксиды, ярымүткәргеч полисиликон, металл бакыр һ.б. изоляцияләү өчен.
Ярымүткәргеч чип җитештерү процессы күзлегеннән караганда, ул алгы планда урнашкан.
Нечкә фильм әзерләү процессын аның фильм формалаштыру ысулы буенча ике категориягә бүлеп була: физик пар парламенты (ПВД) һәм химик пар парламенты.(CVD), алар арасында CVD процесс җиһазлары зуррак өлешне тәшкил итә.
Физик пар парламенты (ПВД) материаль чыганак өслегенең парлашуын һәм түбән басымлы газ / плазма аша субстрат өслегендә чүпләнүне, шул исәптән парга әйләнү, бөтерелү, ион нуры һ.б.
Химик пар парламенты (CVD) газ катнашмасының химик реакциясе аша кремний вафат өслегендә каты пленка урнаштыру процессын аңлата. Реакция шартлары буенча (басым, прекурсор) ул атмосфера басымына бүленәCVD(APCVD), түбән басымCVD(LPCVD), плазманы көчәйтелгән CVD (PECVD), югары тыгызлыктагы плазмалы CVD (HDPCVD) һәм атом катламы (ALD).
LPCVD: LPCVD яхшырак адымны каплау сәләтенә, яхшы составка һәм структураны контрольдә тотуга, югары чүпләнү тизлегенә һәм чыгарылышына ия, һәм кисәкчәләрнең пычрану чыганагын бик киметә. Реакцияне, температураны контрольдә тоту өчен, җылылык чыганагы буларак җылыту җиһазларына таяну бик мөһим. TopCon күзәнәкләренең поли катламы җитештерүдә киң кулланыла.
PECVD: PECVD радио ешлык индукциясеннән ясалган плазмага таяна, нечкә пленка процессының түбән температурасына (450 градустан да ким) ирешә. Түбән температураны чүпләү - аның төп өстенлеге, шуның белән энергияне экономияләү, чыгымнарны киметү, җитештерү куәтен арттыру, һәм югары температура аркасында кремний вафаларында азчылык йөртүчеләрнең гомер черүен киметү. Аны PERC, TOPCON, HJT кебек төрле күзәнәк процессларына кулланырга мөмкин.
ALD: Яхшы кино бердәмлеге, тыгыз һәм тишексез, яхшы адым каплау үзенчәлекләре, түбән температурада (бүлмә температурасы-400 ℃) башкарылырга мөмкин, кино калынлыгын гади һәм төгәл контрольдә тота, төрле формадагы субстратларга киң кулланыла, һәм реактив агымның бердәмлеген контрольдә тотарга кирәкми. Ләкин җитешсезлеге - фильм формалашу тизлеге әкрен. Наноструктуралы изоляторлар (Al2O3 / TiO2) һәм нечкә фильмлы электролуминсент дисплейлар (TFEL) җитештерү өчен кулланылган цинк сульфид (ZnS) яктылык җибәрүче катлам кебек.
Атом катламы (ALD) - вакуум каплау процессы, ул бер атом катламы формасында субстрат катлам өслегендә нечкә пленка формалаштыра. 1974 елдан ук фин материалы физик Туомо Сунтола бу технологияне эшләде һәм 1 миллион евро Меңьеллык технология премиясенә лаек булды. ALD технологиясе башта яссы панель электролуминсент дисплейларда кулланылган, ләкин ул киң кулланылмаган. XXI гасыр башына кадәр ALD технологиясе ярымүткәргеч индустриясе тарафыннан кабул ителә башлады. Традицион кремний оксидын алыштыру өчен ультра-нечкә югары диэлектрик материаллар җитештереп, ул кыр эффекты транзисторларының сызык киңлегенең кимүе аркасында килеп чыккан агым проблемасын уңышлы чиште, Мур Законын алга таба кечерәк киңлекләргә таба этәрде. Доктор Туомо Сунтола бервакыт ALD компонентларның интеграция тыгызлыгын сизелерлек арттыра ала диде.
Халык мәгълүматлары күрсәтә: ALD технологиясе 1974-нче елда Финляндиядә PICOSUN докторы Туомо Сунтола тарафыннан уйлап табылган һәм Intel тарафыннан эшләнгән 45/32 нанометр чиптагы югары диэлектрик фильм кебек чит илләрдә индустриальләштерелгән. Кытайда, минем ил чит илләргә караганда 30 елдан артык вакыт эчендә ALD технологиясен кертте. 2010 елның октябрендә Финляндиядәге PICOSUN һәм Фудан университетында беренче тапкыр ALD академик алмашу җыелышы уздырылды, беренче тапкыр Кытайга ALD технологиясе кертелде.
Традицион химик пар парламенты белән чагыштырганда (CVD) һәм физик пар парламенты (PVD), ALD-ның өстенлекләре - өч үлчәмле туры килү, зур мәйданлы кино бердәмлеге, һәм калынлыкны контрольдә тоту, алар катлаулы өслек формаларында һәм югары аспект структураларында ультра нечкә фильмнар үстерү өчен яраклы.
- Мәгълүмат чыганагы: ingинхуа университетының микро-нано эшкәртү платформасы—
Мурдан соңгы чорда вафер җитештерүнең катлаулылыгы һәм процесс күләме бик яхшырды. Логик фишкаларны мисал итеп алсак, 45нмнан түбән процесслар булган җитештерү линияләренең саны арту белән, аеруча 28нм һәм аннан түбән процесслар белән, калынлык һәм төгәл контроль таләпләре югарырак. Берничә экспозиция технологиясе кертелгәннән соң, ALD процесс адымнары һәм җиһазлар саны сизелерлек артты; хәтер фишкалары өлкәсендә төп җитештерү процессы 2D NANDдан 3D NAND структурасына күчте, эчке катламнар саны артуын дәвам итте, һәм компонентлар әкренләп югары тыгызлык, югары аспект катнаш структуралары һәм мөһим роль тәкъдим иттеләр. ALD барлыкка килә башлады. Ярымүткәргечләрнең киләчәк үсеше күзлегеннән караганда, ALD технологиясе Мурдан соңгы чорда көннән-көн мөһим роль уйныйчак.
Мисал өчен, ALD - катлаулы 3D стаканлы структураларның (3D-NAND кебек) яктырту һәм кино җитештерү таләпләренә җавап бирә алган бердәнбер чүпләү технологиясе. Моны түбәндәге рәсемдә ачык күрергә мөмкин. CVD A (зәңгәр) урнаштырылган фильм структураның аскы өлешен тулысынча капламый; CVD (CVD B) белән кайбер процессларга үзгәрешләр кертелсә дә, кино күрсәткечләре һәм аскы мәйданның химик составы бик начар (рәсемдәге ак мәйдан); киресенчә, ALD технологиясен куллану фильмның тулы яктыртылуын күрсәтә, һәм структураның барлык өлкәләрендә югары сыйфатлы һәм бердәм кино үзенчәлекләренә ирешәләр.
—- CVD белән чагыштырганда ALD технологиясенең өстенлекләре (Чыганак: ASM) —-
CVD әле кыска вакыт эчендә иң зур базар өлешен билсә дә, ALD вафер фаб җиһазлары базарының иң тиз үсә торган өлешләренә әверелде. Зур үсеш потенциалы һәм чип җитештерүдә төп роль уйнаган бу ALD базарында ASM ALD җиһазлары өлкәсендә әйдәп баручы компания.
Пост вакыты: 12-2024 июнь