SiC potiahnutá grafitová časť Halfmoonis a kľúčkomponent používaný v procesoch výroby polovodičov, najmä pre epitaxné zariadenia SiC.Na výrobu časti polmesiaca používame našu patentovanú technológiuextrémne vysoká čistota,dobrenáterjednotnosťa vynikajúcou životnosťou, ako ajvysoká chemická odolnosť a tepelná stabilita.
VET Energy je askutočný výrobca prispôsobených produktov z grafitu a karbidu kremíka s CVD povlakom,môže dodaťrôzneprispôsobené diely pre polovodičový a fotovoltaický priemysel. Ováš technický tím pochádza zo špičkových domácich výskumných inštitúcií, môže poskytnúť profesionálnejšie materiálové riešeniapre vás.
Neustále vyvíjame pokročilé procesy na poskytovanie pokročilejších materiálov,avyvinuli exkluzívnu patentovanú technológiu, vďaka ktorej je spojenie medzi náterom a substrátom pevnejšie a menej náchylné na oddelenie.
Fvlastnosti našich produktov:
1. Odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote do 1700℃.
2. Vysoká čistota atepelná rovnomernosť
3. Vynikajúca odolnosť proti korózii: kyselinám, zásadám, soliam a organickým činidlám.
4. Vysoká tvrdosť, kompaktný povrch, jemné častice.
5. Dlhšia životnosť a odolnejšia
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Základné fyzikálne vlastnosti CVD SiCnáter | |
| 性质 / Nehnuteľnosť | 典型数值 / Typická hodnota |
| 晶体结构 / Kryštálová štruktúra | FCC β fáza多晶，主要为（111）取向 |
| 密度 / Hustota | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Tvrdosť | 2500 维氏硬度（500g náplň） |
| 晶粒大小 / Veľkosť zrna | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Chemická čistota | 99,99995 % |
| 热容 / Tepelná kapacita | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Teplota sublimácie | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Pevnosť v ohybe | 415 MPa RT 4-bod |
| 杨氏模量 / Youngov modul | Ohyb 430 Gpa 4pt, 1300 ℃ |
| 导热系数 / ThermalVodivosť | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Tepelná expanzia (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |
Srdečne vás vítame na návšteve našej továrne, poďme ďalej diskutovať!
