SiC potiahnutá grafitová časť Halfmoon pre epitaxné zariadenia z karbidu kremíka

Grafitová polomesiaca s povlakom SiC pre epitaxné zariadenie z karbidu kremíka Odporúčaný obrázok

Krátky popis:

Predstavenie a použitie produktu: Pripojená kremenná trubica, môže prechádzať plynom na poháňanie rotácie podnosu, regulácia teploty

Umiestnenie produktu v zariadení: v reakčnej komore, nie v priamom kontakte s plátkom

Hlavné nadväzujúce produkty: energetické zariadenia

Hlavný trh s terminálmi: nové energetické vozidlá

Pošlite nám e-mail Stiahnuť ako PDF

Detail produktu

Štítky produktu

SiC potiahnutá grafitová časť Halfmoonis a kľúčkomponent používaný v procesoch výroby polovodičov, najmä pre epitaxné zariadenia SiC.Na výrobu časti polmesiaca používame našu patentovanú technológiuextrémne vysoká čistota,dobrenáterjednotnosťa vynikajúcou životnosťou, ako ajvysoká chemická odolnosť a tepelná stabilita.

VET Energy je askutočný výrobca prispôsobených produktov z grafitu a karbidu kremíka s CVD povlakom,môže dodaťrôzneprispôsobené diely pre polovodičový a fotovoltaický priemysel. Ováš technický tím pochádza zo špičkových domácich výskumných inštitúcií, môže poskytnúť profesionálnejšie materiálové riešeniapre vás.

Neustále vyvíjame pokročilé procesy na poskytovanie pokročilejších materiálov,avyvinuli exkluzívnu patentovanú technológiu, vďaka ktorej je spojenie medzi náterom a substrátom pevnejšie a menej náchylné na oddelenie.

Fvlastnosti našich produktov:

1. Odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote do 1700℃.
2. Vysoká čistota atepelná rovnomernosť
3. Vynikajúca odolnosť proti korózii: kyselinám, zásadám, soliam a organickým činidlám.
4. Vysoká tvrdosť, kompaktný povrch, jemné častice.
5. Dlhšia životnosť a odolnejšia

CVD SiC薄膜基本物理性能 Základné fyzikálne vlastnosti CVD SiCnáter
性质 / Nehnuteľnosť	典型数值 / Typická hodnota
晶体结构 / Kryštálová štruktúra	FCC β fáza多晶，主要为（111）取向
密度 / Hustota	3,21 g/cm³
硬度 / Tvrdosť	2500 维氏硬度（500g náplň）
晶粒大小 / Veľkosť zrna	2 ~ 10 μm
纯度 / Chemická čistota	99,99995 %
热容 / Tepelná kapacita	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Teplota sublimácie	2700 ℃
抗弯强度 / Pevnosť v ohybe	415 MPa RT 4-bod
杨氏模量 / Youngov modul	Ohyb 430 Gpa 4pt, 1300 ℃
导热系数 / ThermalVodivosť	300 W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Tepelná expanzia (CTE)	4,5 × 10^-6K^-1