CVD-SiCpovlak má vlastnosti jednotnej štruktúry, kompaktného materiálu, odolnosti voči vysokej teplote, odolnosti voči oxidácii, vysokej čistoty, odolnosti voči kyselinám a zásadám a organického činidla, so stabilnými fyzikálnymi a chemickými vlastnosťami.

V porovnaní s grafitovými materiálmi s vysokou čistotou začína grafit oxidovať pri 400 °C, čo spôsobí stratu prášku v dôsledku oxidácie, čo má za následok znečistenie životného prostredia periférnych zariadení a vákuových komôr a zvýšenie nečistôt v prostredí s vysokou čistotou.

Povlak SiC však môže udržiavať fyzikálnu a chemickú stabilitu pri 1600 stupňoch, je široko používaný v modernom priemysle, najmä v polovodičovom priemysle.

Naša spoločnosť poskytuje služby procesu poťahovania SiC metódou CVD na povrchu grafitu, keramiky a iných materiálov tak, že špeciálne plyny obsahujúce uhlík a kremík reagujú pri vysokej teplote za vzniku vysoko čistých molekúl SiC, molekúl usadených na povrchu poťahovaných materiálov, vytvára ochrannú vrstvu SIC. Vytvorený SIC je pevne spojený s grafitovou základňou, čo dáva grafitovej základni špeciálne vlastnosti, vďaka čomu je povrch grafitu kompaktný, bez pórovitosti, odolný voči vysokej teplote, korózii a oxidácii.

Hlavné vlastnosti:

1. Odolnosť proti oxidácii pri vysokej teplote:

odolnosť proti oxidácii je stále veľmi dobrá, keď je teplota až 1600 C.

2. Vysoká čistota: vyrobená chemickou depozíciou pár pri vysokej teplote chlorácie.

3. Odolnosť proti erózii: vysoká tvrdosť, kompaktný povrch, jemné častice.

4. Odolnosť proti korózii: kyselinám, zásadám, soliam a organickým činidlám.

Hlavné špecifikácie povlakov CVD-SIC: