Основной технологией выращивания эпитаксиальных материалов SiC является, во-первых, технология контроля дефектов, особенно технология контроля дефектов, которая подвержена сбоям в работе устройств или снижению надежности. Изучение механизма дефектов подложки, распространяющихся в эпи...
Читать далее