6-дюймовая пластина SiC типа N

Краткое описание:

6-дюймовая пластина SiC типа N от VET Energy — это высокопроизводительная подложка, разработанная для передовых полупроводниковых приложений, обеспечивающая превосходную теплопроводность и энергоэффективность. VET Energy использует передовые технологии для производства высококачественных пластин, отвечающих строгим требованиям современной электроники, обеспечивая надежность и долговечность силовых устройств.

Отправьте нам электронное письмо Скачать в формате PDF

Детали продукта

Теги продукта

Эта 6-дюймовая пластина SiC типа N разработана для повышения производительности в экстремальных условиях, что делает ее идеальным выбором для приложений, требующих высокой мощности и термостойкости. Ключевые продукты, связанные с этой пластиной, включают Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer и SiN Substrate. Эти материалы обеспечивают оптимальную производительность в различных процессах производства полупроводников, позволяя создавать энергоэффективные и долговечные устройства.

Для компаний, работающих с пластинами Epi, оксидом галлия Ga2O3, кассетами или пластинами AlN, 6-дюймовая пластина SiC типа N от VET Energy обеспечивает необходимую основу для разработки инновационных продуктов. Будь то мощная электроника или новейшие радиочастотные технологии, эти пластины обеспечивают превосходную проводимость и минимальное тепловое сопротивление, расширяя границы эффективности и производительности.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент	8-дюймовый	6-дюймовый			4-дюймовый
Элемент	НП	n-PM	н-Пс	SI	SI
ТТВ(ГБИР)	≤6 мкм	≤6 мкм
Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность	≤15 мкм	≤15 мкм	≤25 мкм		≤15 мкм
Деформация(GF3YFER)	≤25 мкм	≤25 мкм	≤40 мкм		≤25 мкм
ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм	<2 мкм
Край вафли	Снятие фаски

ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент	8-дюймовый	6-дюймовый			4-дюймовый
	НП	n-PM	н-Пс	SI	SI
Поверхностная обработка	Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP
Шероховатость поверхности	(10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм C-лицо Ra≤ 0,5 нм			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм C-лицо Ra≤0,5 нм
Краевые чипы	Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм)
Отступы	Ничего не разрешено
Царапины (Si-Face)	Кол-во.≤5, накопительный Длина≤0,5×диаметр пластины	Кол-во.≤5, накопительный Длина≤0,5×диаметр пластины			Кол-во.≤5, накопительный Длина≤0,5×диаметр пластины
Трещины	Ничего не разрешено
Исключение краев	3 мм