8-дюймовые кремниевые пластины VET Energy широко используются в силовой электронике, датчиках, интегральных схемах и других областях. Являясь лидером в полупроводниковой промышленности, мы стремимся предоставлять высококачественную продукцию Si Wafer для удовлетворения растущих потребностей наших клиентов.
В дополнение к Si Wafer, VET Energy также предлагает широкий ассортимент полупроводниковых подложек, включая SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer и т. д. Наша линейка продуктов также охватывает новые полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, такие как оксид галлия Ga2O3 и AlN. Wafer, обеспечивающий мощную поддержку для разработки силовых электронных устройств следующего поколения.
VET Energy располагает современным производственным оборудованием и полной системой управления качеством, гарантирующей соответствие каждой пластины строгим отраслевым стандартам. Наша продукция не только обладает отличными электрическими свойствами, но также обладает хорошей механической прочностью и термической стабильностью.
VET Energy предоставляет клиентам индивидуальные решения для пластин, включая пластины разных размеров, типов и концентраций легирующих добавок. Кроме того, мы также предоставляем профессиональную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы помочь клиентам решить различные проблемы, возникающие в процессе производства.
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
ТТВ(ГБИР) | ≤6 мкм | ≤6 мкм | |||
Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность | ≤15 мкм | ≤15 мкм | ≤25 мкм | ≤15 мкм | |
Деформация(GF3YFER) | ≤25 мкм | ≤25 мкм | ≤40 мкм | ≤25 мкм | |
ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм | <2 мкм | ||||
Край вафли | Снятие фаски |
ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ
*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий
Элемент | 8-дюймовый | 6-дюймовый | 4-дюймовый | ||
НП | n-PM | н-Пс | SI | SI | |
Поверхностная обработка | Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP | ||||
Шероховатость поверхности | (10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм | |||
Краевые чипы | Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм) | ||||
Отступы | Ничего не разрешено | ||||
Царапины (Si-Face) | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | Кол-во.≤5, накопительный | ||
Трещины | Ничего не разрешено | ||||
Исключение краев | 3 мм |