Кремниевая пластина высокой чистоты 8 дюймов

Краткое описание:

8-дюймовые кремниевые пластины высокой чистоты VET Energy — идеальный выбор для производства полупроводников. Изготовленные с использованием передовых технологий, эти пластины обладают превосходным кристаллическим качеством и плоскостностью поверхности, что делает их пригодными для изготовления различных микроэлектронных устройств.


Детали продукта

Теги продукта

8-дюймовые кремниевые пластины VET Energy широко используются в силовой электронике, датчиках, интегральных схемах и других областях. Являясь лидером в полупроводниковой промышленности, мы стремимся предоставлять высококачественную продукцию Si Wafer для удовлетворения растущих потребностей наших клиентов.

В дополнение к Si Wafer, VET Energy также предлагает широкий ассортимент полупроводниковых подложек, включая SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer и т. д. Наша линейка продуктов также охватывает новые полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, такие как оксид галлия Ga2O3 и AlN. Wafer, обеспечивающий мощную поддержку для разработки силовых электронных устройств следующего поколения.

VET Energy располагает современным производственным оборудованием и полной системой управления качеством, гарантирующей соответствие каждой пластины строгим отраслевым стандартам. Наша продукция не только обладает отличными электрическими свойствами, но также обладает хорошей механической прочностью и термической стабильностью.

VET Energy предоставляет клиентам индивидуальные решения для пластин, включая пластины разных размеров, типов и концентраций легирующих добавок. Кроме того, мы также предоставляем профессиональную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы помочь клиентам решить различные проблемы, возникающие в процессе производства.

第6页-36
第6页-35

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

НП

n-PM

н-Пс

SI

SI

ТТВ(ГБИР)

≤6 мкм

≤6 мкм

Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность

≤15 мкм

≤15 мкм

≤25 мкм

≤15 мкм

Деформация(GF3YFER)

≤25 мкм

≤25 мкм

≤40 мкм

≤25 мкм

ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм

<2 мкм

Край вафли

Снятие фаски

ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент

8-дюймовый

6-дюймовый

4-дюймовый

НП

n-PM

н-Пс

SI

SI

Поверхностная обработка

Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP

Шероховатость поверхности

(10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм
C-лицо Ra≤ 0,5 нм

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм
C-лицо Ra≤0,5 нм

Краевые чипы

Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм)

Отступы

Ничего не разрешено

Царапины (Si-Face)

Кол-во.≤5, накопительный
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во.≤5, накопительный
Длина≤0,5×диаметр пластины

Кол-во.≤5, накопительный
Длина≤0,5×диаметр пластины

Трещины

Ничего не разрешено

Исключение краев

3 мм

tech_1_2_size
Китай (2)

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Онлайн-чат WhatsApp!