8-дюймовая кремниевая пластина высокой чистоты

Краткое описание:

8-дюймовые кремниевые пластины высокой чистоты VET Energy — идеальный выбор для производства полупроводников. Изготовленные с использованием передовых технологий, эти пластины имеют превосходное качество кристаллов и ровность поверхности, что делает их пригодными для изготовления различных микроэлектронных устройств.

Отправьте нам электронное письмо Скачать в формате PDF

Детали продукта

Теги продукта

8-дюймовые кремниевые пластины VET Energy широко используются в силовой электронике, датчиках, интегральных схемах и других областях. Являясь лидером в полупроводниковой промышленности, мы стремимся предоставлять высококачественную продукцию Si Wafer для удовлетворения растущих потребностей наших клиентов.

В дополнение к Si Wafer, VET Energy также предлагает широкий ассортимент полупроводниковых подложек, включая SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer и т. д. Наша линейка продуктов также охватывает новые полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной, такие как оксид галлия Ga2O3 и AlN. Wafer, обеспечивающий мощную поддержку для разработки силовых электронных устройств следующего поколения.

VET Energy располагает современным производственным оборудованием и полной системой управления качеством, гарантирующей соответствие каждой пластины строгим отраслевым стандартам. Наша продукция не только обладает отличными электрическими свойствами, но также обладает хорошей механической прочностью и термической стабильностью.

VET Energy предоставляет клиентам индивидуальные решения для пластин, включая пластины разных размеров, типов и концентраций легирующих добавок. Кроме того, мы также предоставляем профессиональную техническую поддержку и послепродажное обслуживание, чтобы помочь клиентам решить различные проблемы, возникающие в процессе производства.

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент	8-дюймовый	6-дюймовый			4-дюймовый
Элемент	НП	n-PM	н-Пс	SI	SI
ТТВ(ГБИР)	≤6 мкм	≤6 мкм
Лук(GF3YFCD)-Абсолютная ценность	≤15 мкм	≤15 мкм	≤25 мкм		≤15 мкм
Деформация(GF3YFER)	≤25 мкм	≤25 мкм	≤40 мкм		≤25 мкм
ЛТВ(СБИР)-10ммх10мм	<2 мкм
Край вафли	Снятие фаски

ОТДЕЛКА ПОВЕРХНОСТИ

*n-Pm=n-тип Pm-класс,n-Ps=n-тип Ps-класс,Sl=полуизолирующий

Элемент	8-дюймовый	6-дюймовый			4-дюймовый
	НП	n-PM	н-Пс	SI	SI
Поверхностная обработка	Двусторонняя оптическая полировка, Si-Face CMP
Шероховатость поверхности	(10 мкм x 10 мкм) Si-FaceRa≤0,2 нм C-лицо Ra≤ 0,5 нм			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2 нм C-лицо Ra≤0,5 нм
Краевые чипы	Нет Разрешено (длина и ширина≥0,5 мм)
Отступы	Ничего не разрешено
Царапины (Si-Face)	Кол-во.≤5, накопительный Длина≤0,5×диаметр пластины	Кол-во.≤5, накопительный Длина≤0,5×диаметр пластины			Кол-во.≤5, накопительный Длина≤0,5×диаметр пластины
Трещины	Ничего не разрешено
Исключение краев	3 мм