O wafer de silício tipo P de 8 polegadas da VET Energy é um wafer de silício de alto desempenho projetado para uma ampla gama de aplicações de semicondutores, incluindo células solares, dispositivos MEMS e circuitos integrados. Conhecido por sua excelente condutividade elétrica e desempenho consistente, este wafer é a escolha preferida para fabricantes que buscam produzir componentes eletrônicos confiáveis e eficientes. A VET Energy garante níveis precisos de dopagem e um acabamento superficial de alta qualidade para a fabricação ideal do dispositivo.
Esses wafers de silício tipo P de 8 polegadas são totalmente compatíveis com vários materiais como substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN e são adequados para crescimento de Epi Wafer, garantindo versatilidade para processos avançados de fabricação de semicondutores. Os wafers também podem ser usados em conjunto com outros materiais de alta tecnologia, como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, tornando-os ideais para aplicações eletrônicas de próxima geração. Seu design robusto também se adapta perfeitamente a sistemas baseados em cassetes, garantindo um manuseio eficiente e de produção de alto volume.
A VET Energy oferece aos clientes soluções personalizadas de wafer. Podemos personalizar wafers com diferentes resistividades, teor de oxigênio, espessura, etc. de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, também fornecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver vários problemas encontrados durante o processo de produção.
ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Urdidura (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Borda de wafer | Chanfrar |
ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Acabamento de superfície | Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP | ||||
Rugosidade da Superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Fichas de borda | Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm) | ||||
Recuos | Nenhum permitido | ||||
Arranhões (Si-Face) | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | ||
Rachaduras | Nenhum permitido | ||||
Exclusão de borda | 3mm |