Bolacha de silicone tipo P de 8 polegadas

Breve descrição:

Apresentando o wafer de silício tipo P de 8 polegadas de qualidade premium, uma marca de excelência da VET Energy. Este wafer excepcional, com perfil de dopagem tipo P, foi meticulosamente projetado para atender aos mais altos padrões de qualidade e desempenho.


Detalhes do produto

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O wafer de silício tipo P de 8 polegadas da VET Energy é um wafer de silício de alto desempenho projetado para uma ampla gama de aplicações de semicondutores, incluindo células solares, dispositivos MEMS e circuitos integrados. Conhecido por sua excelente condutividade elétrica e desempenho consistente, este wafer é a escolha preferida para fabricantes que buscam produzir componentes eletrônicos confiáveis ​​e eficientes. A VET Energy garante níveis precisos de dopagem e um acabamento superficial de alta qualidade para a fabricação ideal do dispositivo.

Esses wafers de silício tipo P de 8 polegadas são totalmente compatíveis com vários materiais como substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN e são adequados para crescimento de Epi Wafer, garantindo versatilidade para processos avançados de fabricação de semicondutores. Os wafers também podem ser usados ​​em conjunto com outros materiais de alta tecnologia, como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, tornando-os ideais para aplicações eletrônicas de próxima geração. Seu design robusto também se adapta perfeitamente a sistemas baseados em cassetes, garantindo um manuseio eficiente e de produção de alto volume.

A VET Energy oferece aos clientes soluções personalizadas de wafer. Podemos personalizar wafers com diferentes resistividades, teor de oxigênio, espessura, etc. de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, também fornecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver vários problemas encontrados durante o processo de produção.

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ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Urdidura (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de wafer

Chanfrar

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da Superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Face C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
Face C Ra≤0,5nm

Fichas de borda

Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de borda

3mm

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