O Wafer GaAs de 4 polegadas da VET Energy é um material essencial para dispositivos optoeletrônicos e de alta velocidade, incluindo amplificadores de RF, LEDs e células solares. Esses wafers são conhecidos por sua alta mobilidade eletrônica e capacidade de operar em frequências mais altas, tornando-os um componente chave em aplicações avançadas de semicondutores. A VET Energy garante wafers de GaAs de alta qualidade com espessura uniforme e defeitos mínimos, adequados para uma variedade de processos de fabricação exigentes.
Esses Wafers GaAs de 4 polegadas são compatíveis com vários materiais semicondutores, como Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer e SiN Substrate, tornando-os versáteis para integração em diferentes arquiteturas de dispositivos. Seja usado na produção de Epi Wafer ou junto com materiais de ponta como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, eles oferecem uma base confiável para eletrônicos de próxima geração. Além disso, os wafers são totalmente compatíveis com sistemas de manuseio baseados em cassetes, garantindo operações tranquilas tanto em ambientes de pesquisa quanto de fabricação de alto volume.
A VET Energy oferece um portfólio abrangente de substratos semicondutores, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Óxido de Gálio Ga2O3 e AlN Wafer. Nossa diversificada linha de produtos atende às necessidades de diversas aplicações eletrônicas, desde eletrônica de potência até RF e optoeletrônica.
A VET Energy oferece wafers de GaAs personalizáveis para atender às suas necessidades específicas, incluindo diferentes níveis de dopagem, orientações e acabamentos de superfície. Nossa equipe de especialistas fornece suporte técnico e serviço pós-venda para garantir seu sucesso.
ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Urdidura (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Borda de wafer | Chanfrar |
ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE
*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante
Item | 8 polegadas | 6 polegadas | 4 polegadas | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Acabamento de superfície | Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP | ||||
Rugosidade da Superfície | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Fichas de borda | Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm) | ||||
Recuos | Nenhum permitido | ||||
Arranhões (Si-Face) | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | Quantidade≤5, cumulativo | ||
Rachaduras | Nenhum permitido | ||||
Exclusão de borda | 3mm |