Bolacha GaAs de 4 polegadas

Breve descrição:

O wafer GaAs de 4 polegadas da VET Energy é um substrato semicondutor de alta pureza conhecido por suas excelentes propriedades eletrônicas, tornando-o a escolha ideal para uma ampla gama de aplicações. A VET Energy emprega técnicas avançadas de crescimento de cristais para produzir wafers de GaAs com uniformidade excepcional, baixa densidade de defeitos e níveis precisos de dopagem.


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O Wafer GaAs de 4 polegadas da VET Energy é um material essencial para dispositivos optoeletrônicos e de alta velocidade, incluindo amplificadores de RF, LEDs e células solares. Esses wafers são conhecidos por sua alta mobilidade eletrônica e capacidade de operar em frequências mais altas, tornando-os um componente chave em aplicações avançadas de semicondutores. A VET Energy garante wafers de GaAs de alta qualidade com espessura uniforme e defeitos mínimos, adequados para uma variedade de processos de fabricação exigentes.

Esses Wafers GaAs de 4 polegadas são compatíveis com vários materiais semicondutores, como Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer e SiN Substrate, tornando-os versáteis para integração em diferentes arquiteturas de dispositivos. Seja usado na produção de Epi Wafer ou junto com materiais de ponta como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, eles oferecem uma base confiável para eletrônicos de próxima geração. Além disso, os wafers são totalmente compatíveis com sistemas de manuseio baseados em cassetes, garantindo operações tranquilas tanto em ambientes de pesquisa quanto de fabricação de alto volume.

A VET Energy oferece um portfólio abrangente de substratos semicondutores, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Óxido de Gálio Ga2O3 e AlN Wafer. Nossa diversificada linha de produtos atende às necessidades de diversas aplicações eletrônicas, desde eletrônica de potência até RF e optoeletrônica.

A VET Energy oferece wafers de GaAs personalizáveis ​​para atender às suas necessidades específicas, incluindo diferentes níveis de dopagem, orientações e acabamentos de superfície. Nossa equipe de especialistas fornece suporte técnico e serviço pós-venda para garantir seu sucesso.

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ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Urdidura (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de wafer

Chanfrar

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da Superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Face C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
Face C Ra≤0,5nm

Fichas de borda

Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de borda

3mm

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