Bolacha SOI de 12 polegadas

Breve descrição:

Experimente a inovação como nunca antes com o SOI Wafer de 12 polegadas de última geração, uma maravilha tecnológica orgulhosamente trazida a você pela VET Energy. Fabricado com precisão e experiência, este wafer Silicon-On-Insulator redefine os padrões da indústria, oferecendo qualidade e desempenho incomparáveis.


Detalhes do produto

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O wafer SOI de 12 polegadas da VET Energy é um material de substrato semicondutor de alto desempenho, altamente favorecido por suas excelentes propriedades elétricas e estrutura exclusiva. A VET Energy usa processos avançados de fabricação de wafer SOI para garantir que o wafer tenha corrente de fuga extremamente baixa, alta velocidade e resistência à radiação, fornecendo uma base sólida para seus circuitos integrados de alto desempenho.

A linha de produtos da VET Energy não se limita aos wafers SOI. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., bem como novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer. Esses produtos podem atender às necessidades de aplicação de diferentes clientes em eletrônica de potência, RF, sensores e outros campos.

Com foco na excelência, nossos wafers SOI também utilizam materiais avançados, como óxido de gálio Ga2O3, cassetes e wafers de AlN para garantir confiabilidade e eficiência em todos os níveis operacionais. Confie na VET Energy para fornecer soluções de ponta que abrem caminho para o avanço tecnológico.

Liberte o potencial do seu projeto com o desempenho superior dos wafers SOI de 12 polegadas da VET Energy. Aumente suas capacidades de inovação com wafers que incorporam qualidade, precisão e inovação, estabelecendo as bases para o sucesso no campo dinâmico da tecnologia de semicondutores. Escolha a VET Energy para soluções premium de wafer SOI que superam as expectativas.

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ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Urdidura (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de wafer

Chanfrar

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da Superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Face C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
Face C Ra≤0,5nm

Fichas de borda

Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de borda

3mm

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