Bolacha SiC tipo N de 6 polegadas

Imagem em destaque do wafer SiC tipo N de 6 polegadas

Breve descrição:

O Wafer SiC Tipo N de 6 Polegadas da VET Energy é um substrato de alto desempenho projetado para aplicações avançadas de semicondutores, oferecendo condutividade térmica e eficiência energética superiores. A VET Energy utiliza tecnologia de ponta para produzir wafers de alta qualidade que atendem às rigorosas demandas da eletrônica moderna, garantindo confiabilidade e durabilidade em dispositivos de energia.

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Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Este wafer SiC tipo N de 6 polegadas foi projetado para desempenho aprimorado em condições extremas, tornando-o a escolha ideal para aplicações que exigem alta potência e resistência à temperatura. Os principais produtos associados a este wafer incluem Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer e SiN Substrate. Esses materiais garantem desempenho ideal em uma variedade de processos de fabricação de semicondutores, possibilitando dispositivos com eficiência energética e durabilidade.

Para empresas que trabalham com Epi Wafer, Óxido de Gálio Ga2O3, Cassete ou AlN Wafer, o Wafer SiC Tipo N de 6 Polegadas da VET Energy fornece a base necessária para o desenvolvimento de produtos inovadores. Seja em eletrônicos de alta potência ou na mais recente tecnologia de RF, esses wafers garantem excelente condutividade e resistência térmica mínima, ultrapassando os limites de eficiência e desempenho.

ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item	8 polegadas	6 polegadas			4 polegadas
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Urdidura (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Borda de wafer	Chanfrar

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item	8 polegadas	6 polegadas			4 polegadas
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Acabamento de superfície	Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP
Rugosidade da Superfície	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm Face C Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm Face C Ra≤0,5nm
Fichas de borda	Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm)
Recuos	Nenhum permitido
Arranhões (Si-Face)	Quantidade≤5, cumulativo Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer	Quantidade≤5, cumulativo Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer			Quantidade≤5, cumulativo Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer
Rachaduras	Nenhum permitido
Exclusão de borda	3mm