Bolacha de silicone de 8 polegadas de alta pureza

Breve descrição:

Os wafers de silício de 8 polegadas de alta pureza da VET Energy são a escolha ideal para a fabricação de semicondutores. Fabricados com tecnologia avançada, esses wafers possuem excelente qualidade de cristal e planicidade de superfície, tornando-os adequados para a fabricação de uma variedade de dispositivos microeletrônicos.


Detalhes do produto

Etiquetas de produto

Os wafers de silício de 8 polegadas da VET Energy são amplamente utilizados em eletrônica de potência, sensores, circuitos integrados e outros campos. Como líderes na indústria de semicondutores, estamos comprometidos em fornecer produtos Si Wafer de alta qualidade para atender às crescentes necessidades de nossos clientes.

Além do Si Wafer, a VET Energy também fornece uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Nossa linha de produtos também cobre novos materiais semicondutores de banda larga, como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, fornecendo forte suporte para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos de potência de próxima geração.

A VET Energy possui equipamentos de produção avançados e um sistema completo de gestão de qualidade para garantir que cada wafer atenda aos rígidos padrões da indústria. Nossos produtos não só possuem excelentes propriedades elétricas, mas também possuem boa resistência mecânica e estabilidade térmica.

A VET Energy oferece aos clientes soluções personalizadas de wafer, incluindo wafers de diferentes tamanhos, tipos e concentrações de dopagem. Além disso, também fornecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a resolver vários problemas encontrados durante o processo de produção.

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ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Urdidura (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Borda de wafer

Chanfrar

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item

8 polegadas

6 polegadas

4 polegadas

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Acabamento de superfície

Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP

Rugosidade da Superfície

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
Face C Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
Face C Ra≤0,5nm

Fichas de borda

Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm)

Recuos

Nenhum permitido

Arranhões (Si-Face)

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Quantidade≤5, cumulativo
Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer

Rachaduras

Nenhum permitido

Exclusão de borda

3mm

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