GaN de 4 polegadas em wafer SiC

Imagem em destaque de 4 polegadas GaN em SiC Wafer

Breve descrição:

O wafer GaN em SiC de 4 polegadas da VET Energy é um produto revolucionário no campo da eletrônica de potência. Este wafer combina a excelente condutividade térmica do carboneto de silício (SiC) com a alta densidade de potência e baixa perda de nitreto de gálio (GaN), tornando-o a escolha ideal para fabricar dispositivos de alta frequência e alta potência. A VET Energy garante o excelente desempenho e consistência do wafer através da avançada tecnologia epitaxial MOCVD.

Envie um e-mail para nós Baixe como PDF

Detalhes do produto

Etiquetas de produto

A linha de produtos da VET Energy não se limita ao GaN em wafers de SiC. Também fornecemos uma ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluindo Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Além disso, também estamos desenvolvendo ativamente novos materiais semicondutores de amplo bandgap, como óxido de gálio Ga2O3 e AlN Wafer, para atender à futura demanda da indústria de eletrônica de potência por dispositivos de maior desempenho.

A VET Energy fornece serviços de personalização flexíveis e pode personalizar camadas epitaxiais de GaN de diferentes espessuras, diferentes tipos de dopagem e diferentes tamanhos de wafer de acordo com as necessidades específicas dos clientes. Além disso, também fornecemos suporte técnico profissional e serviço pós-venda para ajudar os clientes a desenvolver rapidamente dispositivos eletrônicos de potência de alto desempenho.

ESPECIFICAÇÕES DE WAFERING

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item	8 polegadas	6 polegadas			4 polegadas
Item	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arco (GF3YFCD) - Valor Absoluto	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Urdidura (GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Borda de wafer	Chanfrar

ACABAMENTO DE SUPERFÍCIE

*n-Pm=n-tipo Pm-Grau,n-Ps=n-tipo Ps-Grau,Sl=Semi-Isolante

Item	8 polegadas	6 polegadas			4 polegadas
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Acabamento de superfície	Polonês óptico de dupla face, Si-Face CMP
Rugosidade da Superfície	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm Face C Ra≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm Face C Ra≤0,5nm
Fichas de borda	Nenhum permitido (comprimento e largura≥0,5 mm)
Recuos	Nenhum permitido
Arranhões (Si-Face)	Quantidade≤5, cumulativo Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer	Quantidade≤5, cumulativo Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer			Quantidade≤5, cumulativo Comprimento≤0,5×diâmetro do wafer
Rachaduras	Nenhum permitido
Exclusão de borda	3mm